硅纳米线阵列的备及性能研究.pdfVIP

摘要 硅材料的禁带宽度较窄，为间接带隙半导体，发光效率很低。当硅材料的尺 寸减小至纳米尺寸时，．由于量子尺寸效应，硅的禁带宽度变大，由间接带隙变为 直接带隙，发光效率大幅度增加，可在光电领域得到广泛的应用。目前硅纳米材 料的制备方法多种多样，如何采用简单的、可工业化生产的方法制备硅纳米材料 是目前存在的一个问题。本文分别对硅纳米线阵列的制备及多孔硅纳米线阵列在 光催化方面的应用展开系统深入的研究。 1．采用一步化学刻蚀法制备了硅纳米线阵列，通过扫描电镜对制备的样品进 行表征，分析了硝酸银浓度、氢氟酸浓度、温度以及腐蚀时间等实验参数对硅纳 米线阵列结构的影响，从而获得优化硅纳米结构的合成参数范围为：HF浓度： 30min．60min。通过XRD衍射分析表明制备的硅纳米线阵列为单晶结构，对硅纳 米线阵列的拉曼光谱、反射光谱进行了分析表征，并对硅纳米线阵列的形成机理 进行了分析。 2．采用两步刻蚀法制备了多孔硅纳米线阵列，通过扫描电镜、高分辨透射电 镜对其微观形貌及结构进行了分析表征，结果表明多孔硅纳米线阵列保持了基体 硅片的晶体结构，孔道直径在2-20nm之间。采用简单的化学方法对多孔硅纳米 线阵列分别进行了氢终端、铂粒子、金粒子等功能修饰。通过FTIR、XRD、SEM 对不同方法表面修饰的多孔硅纳米线阵列的表面结构、化学组分进行了表征。 3．以罗丹明B与亚甲基蓝的降解实验研究了几种不同表面修饰的多孔硅纳 米线阵列的光催化性能。发现以多孔硅纳米线阵列、Pt修饰多孔硅纳米线阵列及 Au修饰多孔硅纳米线阵列作催化剂的情况下，罗丹明B的吸光度变化很小；而 在氢终端多孔硅纳米线阵列存在的情况下，吸光度变化很大。可见通过HF处理 后多孔硅纳米线阵列的光催化能力得到了明显的提高，而金属修饰却对多孔硅纳 米线阵列的光催化性能几乎没有任何改善。催化实验表明氢终端多孔硅纳米线阵 列具有优异的光催化能力，分析了表面功能修饰改善硅纳米线阵列光催化性能的 理论机制，结果表明优异的光催化性能归因于多孔硅纳米线阵列表面的Si．心键。 这为硅纳米材料在光催化领域的应用开辟了一个新的研究方向。 关键词：硅纳米线阵列；化学刻蚀法；微观结构；表面修饰；光催化 lI ABSTRACT isaindirectband is Silicon semiconductor,whose gap light--emittingefficiency low．Duetothe nano-materials confinement，silicon very size-dependentquantum becomedirectbandsemiconductorsand gap light-emittingefficiencyincreases．They haveattractedinterestinthelastfew for in great yearsimportantapplications nanoscaleelectronicdevicesandbiomedicalfield．Until havebeenvarious now,there methodsfor siliconnano-materials．Buthowto silicon synthesizing synthesize nano·materials andindustrialmethodsisaproblem．Inadditon， usingsimple haveband toabsorbo