硫属化合物p型导体纳米结构的合成及其光电性能研究.pdf

摘 要 本文旨在探索一种工艺路线简单、过程参数可控的方法，合成一维P型硫属化合物半导 体纳米结构，并对其电学性能及光电响应性能进行研究，实现其在纳米电子、纳米光电器件 的应用。一维硫属化合物半导体材料由于其较强的白补偿效应，往往呈现出n型半导体性能， 限制了其在半导体同质结和异质结中的应用，而合成P型一维硫属化合物半导体材料一直以 来也是一项具有重要意义和富有挑战性的研究工作。一维硫属化合物半导体材料的晶体结构 及其缺陷研究结果表明，阴离子空位是形成其n型半导体性能主要因素，而阳离子空位则可 以实现其P型导电性。本论文通过对热蒸发过程中的气相、固相以及气固相转变过程的化学 热力学与动力学过程进行研究分析，认为控制合成反应过程的气氛组成和气压可以调制纳米 结构的组成成分，形成阳离子空位，实现其P型导电性。采用掺杂和阴离子气氛补偿技术， 合成了系列一维P型硫属化合物半导体纳米结构，并对其晶体结构和生长机制进行了分析研 究，通过构筑基于一维纳米结构的电子器件，对其电学性能和光电响应性能进行了研究探索， 利用空穴理论解释了P型半导体性能的晶体学成因。本项研究成果有助于推动一维P型硫属 化合物半导体纳米结构在未来纳米电子器件的广泛应用。取得的主要研究成果如下； hill， l、采用热蒸发的方法合成本征P型ZnTe纳米带，具有立方闪锌矿结构，宽度约为300 长度超过20岬，厚度约为30nlR，表面洁净、形貌均一。构造了基于单根纳米带的纳米场效 应管，其电学性能研究结果显示，所合成本征ZnTe纳米带具有P型半导体性能?迁移率肚为 x X 6．2 Qcm，Zn空位是导致其 10寸cm2r1S～，载流子浓度胁为2．210埘cm-s，电阻率p为45．1 P型导电性的主要原因。为了提高ZnTe纳米带的电学性能，采用氨氮混合气氛辅助热蒸发的 方法，合成了氮掺杂p型ZnTe纳米带，其形貌和晶体结构与本征ZnTe纳米带基本一致，氮 掺杂ZnTe纳米带的X射线衍射峰相对于本征ZnTe纳米带的衍射峰有一个向高角度方向明显 的偏移。电学性能测量结果表明，氮掺杂的P型ZnTe纳米带具有比较高的迁移率(砧1．2 Qcm。对比分析本征和氮掺 cmZV。1S～，高的载流子浓度(砧3．6×10憎Cm-3，低的电阻率(动O．14 杂ZnTe纳米带的晶体学成因，组分缺陷是形成本征ZnTe纳米带p型半导体性能的主要因素。 而在较低浓度氦掺杂时，组分缺陷和杂质缺陷共同影响P型导电性，在高浓度掺杂时，杂质 缺陷是形成P型导电性的主要因素a： 2、研究一维孪晶P型ZnTe纳米线的电学性能，发现在一维孪晶结构中存在负微分电阻 4 现象，纳米场效应管电学性能测试结果显示，峰值电压为2．3V，峰谷电压为2jV，峰谷电 kS’，载流子浓度刀^为 流比约为1．3，孪晶纳米线具有P型半导体性能，迁移率肚为0．1Icm¨V 1．1×1017cm一。通过对其晶体结构和载流子传输特性研究，认为周期性的孪晶界面构成周期性 的势垒，形成多势垒和多势阱结构，在外电场作用下，可以调制多势垒，达到共振条件时， 自激励效应将引起电荷聚集，引起共振隧穿，表现出负微分电阻现象。采用热蒸发的方法合 成孪晶ZnTe纳米线，X射线衍射和高分辨电镜分析结果表明孪晶纳米线是闪锌矿结构，一维 析研究显示，在孪晶纳米线的气一液一固生长机制中，液态共晶的表面张力是形成孪晶纳米结 构的主要原因。 3、三元化合物半导体材料ZnCdTe具有比较高的原子序数，较大的直接禁带宽度，广泛 带，并对其形貌和晶体结构进行了表征。构筑了基于单个纳米带的纳米场效应管和X射线纳 Zno．TsCck笛Te纳米带载流子浓度为／／h为2．7×10埔cm-3，迁移率胁为4．2 X1017 纳米带载流子浓度m为1．1