碱溶性光敏预聚的合成及在抗蚀剂中的应用.pdfVIP

摘 要 在微电子工业中，光刻是现今集成电路中半导体制造的常用工艺，开发具 有特定功能、能应用于工业生产的光致抗蚀剂(光刻胶)显得尤为重要。传统 的负型抗蚀剂由于含有重金属，对环境污染较大，逐渐被新的光致抗蚀剂所取 代。 本论文通过丙烯酸羟乙酯(HEA)与酸酐一步法反应合成了具有碱溶性、 可紫外光固化的预聚物(AHEA)，采用酸值滴定、红外光谱(FT-IR)对反应过 程与产物结构进行了表征，得出了最佳合成条件为：催化剂三苯基膦(TP)和阻 1：0．75，在80℃下分次加入酸酐，升温至90℃反应3小时。由于六氢苯酐 (HHPA)与体系相容性较好，转化率可达86．13％，粘度为3710CP。 将合成预聚物加入光引发剂，制备了不同光固化体系，在紫外光固化机下 得到固化膜，研究了不同预聚物的光固化情况和固化膜的表面硬度、附着力、 耐酸性、碱液脱膜性能等，并用红外光谱通过内标法研究了双键转化率，热重． 差热分析仪(TG．DSC)研究了固化膜的热学性能。其中，丙烯酸羟乙酯与六氢 苯酐反应产物(HHPAHEA)光固化体系曝光24s后，涂膜固化率达到94．47％， 固化膜在室温到125℃范围内失重1．5％。 根据预聚物的合成与光固化性能研究结果，选取HHPAHEA作为主体树 脂，加入光引发剂、填料、颜料及其它助剂，通过三辊机研磨制备了碱溶性负 型光致抗蚀剂。利用紫外吸收光谱、激光粒度仪、光学显微镜等方法研究了该 抗蚀剂光固化性能、固化膜性能、丝网印刷性能，探索了碱溶性光致抗蚀剂中 主体树脂、光引发剂、填料、助剂、添加剂等组成之间的关系。在配方中，选 好，光引发效率高；硫酸钡作为填料降低了固化膜的铅笔硬度和附着力，含量 以不超过50wt％为宜；气相二氧化硅能提高固化涂膜的硬度，硬度由3B增 加到H，同时附着力也由5级提高到0级，同时因其良好的触变性，可以 大大改善印刷性能，含量为O．5wt％最佳。同时用傅里叶变换衰减全反射红 外光谱(ATR．FTIR)研究光固化过程存在的氧阻聚问题，当光引发剂 Darocuel173含量为8wt％时，表层双键转化率可达96．02％，是抑制该抗刻蚀剂 氧阻聚的有效方法。 关键词：光致抗蚀剂，负型，碱溶性，紫外光固化，丙烯酸羟乙酯 Abstract Inmicroelectronics isacommon usedin industry,photolithographyprocess semiconductor of circuitat manufacturingintegrated certain which functionsandcanbe toindustrial possessspecific applied photoresists iscrucial．However,conventionalnegative whichcontain production photoresists is new of duetotheserious metals types heavy graduallyreplacedby photoresists totheenvironment． pollution Inthis seriesof andalkali—soluble thesis，a ultraviolet(UV)．curable were byesterificationofOH ofHydroxyethyl prepolymerssynthesized groups