稀土掺杂ZnO膜和YAG荧光陶瓷的制备及光学性能的研究.pdfVIP

摘要 摘 要 白光二极管照明作为最有发展潜力的新型光源，具有广阔的市场和应用前景，并 率的困难，寻求性能更加优异的新型光转化材料成为探索热点。 稀土发光色纯度高，稳定性好，在固体发光材料中扮演着重要的角色。稀土离子 具有未填满的受到外界屏蔽的4f电子壳层，因此有丰富的电子能级和长寿命激发态， 能级跃迁通道多达20余万个，其发射光谱覆盖从紫外光、可见光到红外光区的各种波 长的电磁辐射。ZnO是一种宽禁带(3．37eV)直接带隙的氧化物半导体，具有的激子 束缚能(60meV)远大于GaN的激子束缚能(25meV)，在紫外区有强吸收，作为第 三代半导体功能材料，以其特有的光电性能和潜在的广泛用途己成为目前研究的热点。 稀土掺杂的ZnO薄膜型荧光材料具有优良的导电性、导热性、均匀性、并且与衬底结 合良好，提高了材料耐高温及大电流的程度，薄膜散热快，如果氧化锌能把吸收的能 量有效的传递给稀土有望获得高效率高显色性的发光颜色可调控的稀土掺杂的发光材 料，在全彩色平板显示器、场发射显示器或照明中有潜在的应用价值。但是，目前还 不能实现有效掺杂，从半导体基质到稀土离子的能量传递效率不够高。本文制备了 ZnO：Eu3．，Tb3+