窄带半导体inolt;,4gt;掺杂tiolt;,2gt;薄膜可见光催化性能的研究.pdf

摘要 Inv04作为一种新型窄禁带半导体材料，具有可见光波段的光催化性能。本 流法制备了InV04溶胶，这有效的降低了合成InV04的温度。将上述lnV04溶胶与 实验室自制的回流的过氧钛酸溶胶(Rs溶胶)混合获得混合溶胶，以此混合溶胶为 前驱体制备了lnV04．Ti02复合光催化薄膜和梯度薄膜。通过各种表征手段讨论了 工艺参数对回流处理最终产物物相、晶粒形貌、溶胶稳定性、复合薄膜的吸光性 能及光催化活性的影响。 实验结果表明，在回流制备工艺过程中，反应体系的pH值、回流时间和不 同工艺路线对目标相的生成具有重要的影响。当pH值为8时，体系中可形成结 晶度较好的InV04晶粒。随着回流时间的增加，溶胶中的晶粒分散性会得到明显 的改善，InV04晶粒尺寸出现逐步增大的趋势。根据晶粒表面化学梯度模型讨论 了lnV04溶胶在回流条件下形成的机理，其过程可以认为是在In(OH)3晶体表面形 成化学梯度环境，VO。孓单体和In3+离子通过原位重排而转变为正交相lnVO。晶体。 本实验还进行了InV04．Ti02复合光催化薄膜和梯度薄膜在可见光照射下的 光催化活性测试。结果表明在可见光照射下，10层复合光催化薄膜表现出最好 的活性；在可见光照射12h后，InV04掺杂量为3．O嘶％的复合薄膜对甲基橙的单 片试样脱色率达到了33．8％。这是因为，两种半导体复合时形成了同型异质结， InV04的外层电子吸收能量从基态跃迁至激发态，这个激发态电子注入到邻近的 Ti02的导带，从而阻止光生电子和空穴在短时间内重新复合，实现InV04的光生 电子和空穴的有效分离，提高薄膜的可见光活性。 关键词：Invo。，回流法，半导体掺杂，Inv04．Ti02复合光催化剂，可见光催 化活性 ABSTRACT materialwasfoundtobeaVisible InV04 light because respondingphotocatalyst ofits band．The sol was narrow—gapenergy InV04 synthesizedbylow—temperature refluxmethodindium using trichloride(InCl3)，ammonium and raw whichrevealsthe potassiumhydrate(KOH)asmaterials， synthetic of is InV04 RSsolhadbeen temperature reduced．InV04 eH’ectiVely doped prepared sol RS InV04into solundercontinual throughblending magneticstiI-ring．Novel thinfilmsand InV04一Ti02 thin行lmson slideswere functionallygradient glass Viaa methodf．romthe s01．The synthesizedsol-gel dipping