负载型金属修饰的复合半导体的制备及其光催化CO2和C3H8合成异丁烯醛的反应性能.pdf

中文摘要 二氧化碳和丙烷畿按合成异丁烯醛在低碳烷烃靶C02资源利用及烃类氯化 稳台成方鬣其袁重要静疆谂意义秘液焉价僮。本论文璃气．阖汽罐纯反应技术应 用于这一反应体系，系统深入地研究了负载型金属修饰的复合半导体的设计和制 备，以及圆体材料的袭蕊化学构造和能带结构与篡吸光特性、化学吸附能力和光 继讫反盛‘陡笺载关联。 一、叛互监Si02簸嚣态载髂蕊矮，蘩愚分步澄浚一诧学裘麓反瘦按零，璇 功地制得了比表面积犬于200 m2lg，颗粒尺度约10rim的三三种众糯修饰的负藏测 j霆程靛DTA-TG窝TPR藕巢分耩，褥溉了这三耱瓣体耱搴霉豹邋纛裁备Z瓮祭释。 二、XRD、Rarnma、IR和UV-Vis DRS技术豹袭镁结巢{正躜； 均l冀徽晶形式存在予Si02内孔袭谣，愈属cu鼬黻高度分散的状态均稚予篾合鬣 诧物浚穗熬元鹣表嚣上；且复合半譬体畿诧貔中的v205或M003竣ZnO溉与Tj娆 戏。 二、繁多}一霹羹汽漫爱射实验教零l精Kubella。檄嘲(蘧数对辛葶辩蘩带豁隙融 估餐结巢说明：负载燮簸合半簿体奉巷秘中由于鏊元半导体缳分髓径变小，警敲其 蘩繁缝默魄值增大；然元缝努间簸食作熏瞧薯；起葵疆光强艘撼翱。金属Cu碍l 久复台攀簿蒋麓瓣爱，不枝蘧强了鬣终褪瓣熬竞蔽浚强度，氇健萁啜炎壤筏箍逸 淘可露党范爱扩疑。缀黎实验缝聚，我髑褥出了受载懑缝合活憋蒸元 的嚣酲关糕，菇鸯魏搽讨了宅销对党塑鼗浚予的分离注蘸帮与乏辐关的催化畿亿 还攮囊墩耱力。 三、化学吸附．IR和TPD．MS癣验结莱袭明，c。2分子崧三种围体率毒辫袭 嚣金属位c辞魏Lewis酸垃弧时的协鼹{乍粥下，主要形成C02的卧式吸附卷 =O域Mo=O或Zn+O“键的端氧上，可形成溅甲基氢的单位啜附态，或甲潦氮 和噩甲基的双位吸附感。圃体材料吸附活化蔼烷的敝力大小为： 姻、固体材料光催化憔能的评价结果鬏明：在气圃光催化反应器中，以 静毙(365nm、毙强0，65mw／cm2)疆爨下，e伤辩嚣蕊台戒辩丁烯鼗熬蔽应可虢 颓翻安漉，萁及液裙转纯率鞠弱标产秘选择瞧，与反应湿度、强钵糖辩勰蔽光靛 黼和吸附性能密切相关；三种固体材料的光催化活性大小顺序为： C硅Ⅳ2钠娟国鹧i。2嵇{乏粼来谖，它在紫矫灯照射下，澄度120℃、警遽150h5及 嫒辩黪象毙C3H#：e镊一l：{熬条静下，黠蔼烷耱转纯枣巍{。33鲔，对努了瓣袋 戆选择髓帮巍量子效率分掰遮到为耱．2瓣秘5，14％。 纛、在黻上实验磷蹙结襞耱基皴上，攥讨了爨裁麓金瓣掺孝笨麓篾合半簿体 毙镗纯e毪帮蔼烷合成器丁浠赣静获斑梳毽帮纛键氯化还藩避程梳镧，提出C02 郛嚣烧化学吸嫩性能与袅壤．复会半舄体化学缀域匹聚琢烈，分凝了巍燕载漉予 鹩分褒姣翠妥叠震一鬟会擎鼯棒溆予精搦载囊辩溪洚，辫窭了热(溢凄)奁淹穰 纯爱擞过程鹩“兜一表面，热”协糯揍薅散应中的陵度灏餐亿溉溅织爱应过程工装 条体熬途径。 关键谲：二氧化谈， 黍烧， 异丁烯醚，光程袭颟毽他骏蕊，爨裁型衾溪 修馋黥楚合拳导体，党爨子产攀 Abstract for reaction methacroleinfrom and on Photocatatyticsynthesizing e，H8 C02 semiconductorshasa in of and utilizationalkanes of greatsignificance protection environment．Inthis extendedthis tothe thesis,we reaction study gas-solid system