《CrO共掺杂对GaN电子结构和光学性质的影响》.pdfVIP

第30卷第3期 红外与毫米波学报 V01．30，No．3 2011年6月 J．InfraredMillim．Waves June．20ll 文章编号：1001—9014(2011)03—0212—05 CrO共掺杂对GaN电子结构和光学性质的影响 柯福顺1， 付相宇1， 段国玉2， 吴 松1， 王松有h， 陈良尧1， 贾 瑜3 (1．复旦大学光科学与工程系，上海200433；2．鹤壁职业技术学院，河南鹤壁458030； 3．郑州大学物理工程学院，河南郑州450001) 摘要：利用第一性原理方法研究了0、Cr和CrO共掺杂对宽禁带半导体材料GaN的结构、能带和光学性质的影响． 结果表明CrO共掺的方法可以在原GaN晶体中产生中问能带，CrO共掺的方法较单个氧原子掺杂可以降低材料的 形成能．中间能带的出现实现了材料对低能光子的吸收，增强了其对太阳光谱中红外波段的能量利用，从理论上预 言C巾共掺GaN作为第3代太阳能电池的半导体材料的可行性． 关键词：第3代太阳能电池；GaN；第一性原理；共掺杂 中图分类号：0472+．3文献标识码：A CrO effectonelectronicand ofGaN codoping opticalproperties KE Fu—Shunl，FUXiang．Yul，DUANGuo．Yu2，WUSon91， WANG Yu3 Song．YouH，CHENLiang—Ya01，JIA of Scienceand (1．DepartmentOptical Engineering，FudanUniversity，Shanghai200433，China； 2．Hebi VocationalandTechnical College，Hebi458030，China； 3．SchoolofPhysicsEngineering，ZhengzhouUniversity，Zhengzhou450045，China) and of andCrO GaNwerecalculatedfirst· Abstract：Thecrystalstructure，electronic Cr，O opticalproperties eodoped by calculation．Theresultsshowthat method innewintermediatebandaswellas theforma- principle eodopingbrings lowering tion in with atom formationofintermediatebandenhances oflow energycomparisonsingle absorption oxygendoping．The ininfraredofthesun calculationthe ofCrO feasibility energyp