《In0.5(Ga1-xAlx)0.5P合金的掺杂生长特性》.pdfVIP

第23卷第5期 发 光 学 报 V01．23No5 2002年10月 CHINESE LUMINESCENCEOct，2002 joURNAI．0F 文章编号：i000—7032(2002)05。0469—04 Ino．5(Gal—xAI。)0．5P合金的掺杂生长特性 李忠辉1一，丁晓民1，于彤军1，杨志坚1，胡晓东1，张国义1 (1北京大学物理学院．人工微结构与舟观物理国家重点实验室；宽孳带半导体研究中心．北京100871 2长春理工大学。吉林长春130022) 摘要：利用LPIMo=Ⅵ)分别生长Zn和Si掺杂的In．s(C-a1一：Ak)o5P外延层，研究生长温度、掺杂源流量、VIII 比、A1组分以及衬底晶向偏离等生长条件对外延层掺杂浓度的影响。实验结果表明：降低生长温度和～含量、增加 增加SiH流量、减小A1含量和V／Ⅲ比．都有助于增加si掺杂浓度，而衬底晶向对s掺杂浓度无影响。 关键诃：InGaPdP；LP-MOCVD；掺杂剂；掺杂特性 3 中圈分类号：TN305 文献标识码：A 族金属有机源，PH作为V族氢化物源．各类源的 1 引 言 输运载气和掺杂源的稀释气体均为高纯氢气。反 四元系Inl一，(Gal一：AL)，P合金带隙约为1．9 cm-3)衬底上依次生长GaAs缓冲层和掺杂的 --2．3eV，在z=0～1和y=0．5时与CaAs晶格匹 配良好，直接带隙跃迁时复合几率大，发光效率高， Ino5(GaI…A1)o5P外延层，保证组分和厚度的 波长覆盖范围宽，是高亮度红色和橙色LED理想 均匀性良好并且失配度小于1×10～，本实验中 的有源层材料【l·“。另外，也适合作为大功率有源区 所用测试样品的结构如图1所示。 无铝量子阱半导体激光器的限制层[3．4J。 在光电器件结构中常涉及的是n或p— InGaAIP，而掺杂元素在InGaAIP晶格中所处的 位置及稳定性将直接影响器件的电学和光学性 能。通常情况下，为了降低氧玷污和获得较好的 图1测试样品的结构 表面形貌，LP．MOCVD生长InGaAIP的温度应该The ofmeasurement Fig．1 structure samples． 高于700℃，但由于Ⅲ族有机源TMIn的饱和蒸 汽压不稳定，生长温度过高也会造成In组分控制 3 P型掺杂特性 困难【5，“。另外．由于zn的高扩散性，导致LP—3．1生长温度 MOCVD生长高质量的zn掺杂p-InGaAIP的难如图2所示，在不同的温度(650～750℃)下 度增加(特别是高Al含量时)。本文选用DEZn 生长掺zn的Ino 和siH作为掺杂源研究Ino．，(Gal—A1)o．sP的层．实验发现：随着生长温度的升高，InGaAIP外 LP—MOCVD生长特性，获得了合适处延生长的条 延层中zn的掺杂浓度逐渐下降。可能由于如下 件。制备出高质量的n和P．InGaAlP合金。 原因(1)温度升高zn的扩散性增加；(2)高温有 利于A1的生长．使其浓度增加，所以高温生长时 2外延生长 zn的掺杂几率减小，导致掺杂浓度下降。 利用LP—MOCVD技术生长晶格匹配的In03．2 DEZn流量