氮化镓基增强型emt器件与集成电路研究.pdf

摘要 摘要 迁移率晶体管(HEMT)和集成电路。 首先，开展了不同F等离子体处理条件对器件的影响研究，采用一种新的分 步光刻方法将不同条件F等离子体处理的器件成功制备在同一圆片上，得到了优 频率法对器件的陷阱效应进行研究，计算出了常规耗尽型和F等离子体处理增强 型器件中的陷阱浓度及时常数，从陷阱的角度解释了F等离子体处理对器件肖特 基特性的改善作用。 系统地从电应力、热应力及辐照应力方面对增强型器件的可靠性进行了研究。 研究表明了材料中存在不稳定的F离子，在电应力及热应力的作用下这些F离子 将发生移动，使器件阈值电压退化。但是，可以通过长时间电应力及高温热应力 使材料中F离子固化，从而使器件达到稳定。研究还表明F等离子体处理增强型 y射线辐照应力下阂值电压保持稳定，而最大 器件在总剂量为1．6Mrad(Si)的60co 跨导及最大饱和电流增大，通过对器件进行电容．电压测试及电导．频率法测试，从 陷阱形成的相关机理解释了器件辐照后的退化情况。 提出采用薄势垒异质结材料代替常规势垒厚度异质结材料制备增强型器件，提高 了