电阻型存储器器与工艺研究.pdf

摘要 摘要 存储器在半导体市场中占有重要的地位，随着便携式电子设备的不断普及， 不挥发存储器在整个存储器市场中的份额也越来越大。目前，Flash占据了不挥 发存储器市场90％的份额，但随着半导体工艺节点的不断推进，Flash遇到了越 来越多的瓶颈问题，比如浮栅厚度不能随器件尺寸的减小而无限制减薄，有报道 预测Flash技术的极限在32nm左右，此外，Flash的其他技术缺点也限制了它 的应用，如写入速度慢，操作电压高等。这就迫使人们寻找性能更为优越的下一 代不挥发存储器。最近电阻存储器因其高密度、低成本等特点受到了高度关注， Pr。，Cain03H1、二元金属氧化物材料嘲、有机材料旧等，受电或热等能量的作用下， 在高阻和低阻态之间转换。以相变材料为存储介质的阻性存储器亦被称作为相变 存储器(Phase ChangeMemroy，简称PCM)，在读写速度、读写次数、数据保持 时间、单元面积、多值实现等诸多方面都具有极大的优越性，成为未来不挥发存 储技术市场主流产品最有力的竞争者之一。目前应用最广泛的是GeSbTe(简称 GST)合金材料，在电的作用下使其在晶态和非晶态之间转换，对应为器件的低 阻态和高阻态。当前，在相变存储器研究领域中，写操作电流(RESET电流