硅基aao内电学沉积氧化锌纳米线及其光电性能研究.pdfVIP

摘要 Zno是II．VI族半导体化合物，它在常温下的禁带宽度为3．37eV，其激子束 缚能为60meV，因而使氧化锌在室温短波长发光方面具有有利条件，在紫外探 测器、LED、LD等领域具有重要的应用价值。一维ZnO纳米材料由于表面效应 和量子尺寸效应等性质，使其在太阳能、传感器、压电材料等器件方面具有重 要的应用。另外，作为半导体材料的Si具有良好的热传导性、较低的电阻率等 特点在光电子集成方面有额外的优势。因此，本文将从。模板转移到P型硅衬 底上，并以AAo／Si为辅助模板作为阴极，采用电化学沉积的方法在p型单晶硅 上生长一层n型ZnO纳米线，通过制备n型ZnO．p型Si异质结纳米结构，试图实现 载流子的电致发光。为探索复合结构新奇的物理和化学特性以及在纳米器件方 面潜在的应用前景。 本文以Si基AAO为模板，采用电化学沉积法制备了ZnO儿诅o／Si的复合 结构。并且研究了电解液浓度、沉积时间、有无六亚甲基四胺对化学沉积体系 制备复合结构时的影响。为进一步得到高度有序的znO纳米线提供参考，得到 的结论如下： (1)通过对AAO／Si氧化条件的研究得出以较慢的蒸发速率用真空蒸镀的 方法在Si上蒸镀一层约lpm厚的Al膜。然后对电解液进行8℃恒温，以O．3M 草酸