钒掺杂半绝缘sc的制备及特性研究.pdf

摘要 摘要 半绝缘碳化硅(SIC)材料对于SiC器件的制作和性能具有非常重要的意义，特 别是对功率器件、深亚微米器件和微波功率器件更是如此。半绝缘材料既可以做 器件的衬底，又可以作为器件间的隔离。更重要的是，无论从电特性还是导热特 性来讲，半绝缘SiC都是在光电和微波功率器件中具有重大应用前景的另一种宽 禁带半导体材料GaN最好的衬底材料。由于对高阻材料的测量分析非常困难，因 此关于钒掺杂生长半绝缘SiC的补偿机理和材料特性还没有一套系统的表征测试 方案。离子注入是唯一适于SiC的选择性区域掺杂方法，目前国际上对钒离子注 入制备半绝缘SiC的研究很少，而国内在这方面的研究仍属空白。SiC材料的离子 注入本身就存在许多问题，如注入缺陷的消除、退火工艺的优化、杂质激活率的 提高等问题都有待于研究解决。此外，关于钒作为深受主杂质在4H．SiC中的能级 位置，国际上仍存在较大争议。本文对钒离子注入制备半绝缘4H．SiC的机理、方 法和特性进行了系统的理论和实验研究，对钒掺杂生长的半绝缘6I-I．SiC单晶体材 料的补偿机理和材料特性进行了表征测试，主要的研究成果如下： (1)深入研究了几种不同的半绝缘SiC材料的形成