多晶硅薄膜晶体自加热效应和kink效应的模拟技术研究.pdfVIP

摘要 摘 要 多品硅薄膜晶体管技术在液晶显示器制造中扮演着很重要的角色，它增进了同时将 有源矩阵及周边电路整合在一起的能力。然而，多晶硅薄膜晶体管存在着一些不良的效 应，比如自加热效应、KINK效应。这些效应主要是由于薄膜晶体管本身固有的SOl (siliconon isolator)结构引起的。对于自加热效应，由于高热阻的玻璃衬底的存在，沟 道内产生的功率热不能及时地散发出到周n司环境中去，使得器件内部的工作温度升高。 对于KINK效应，由于玻璃衬底的存在，在沟道底部出现浮体区域，当器件工作且漏极 电压较大时，漏极附近出现较强的电场，碰撞离子化效应发生，产生的空穴积累在浮体 区，使得器件阈值电压下降，另一方面，碰撞离子化产生的电子增加了沟道载流子密度， 使沟道电流在饱和区出现继续增大的现象。 自加热效应和KINK效应对器件参数，如阈值电压、漏电流、开态电流、亚闽值斜 通过器件模拟软件MEDICI来计算其电学特性，来研究自加热效应和KINK效应。 首先，建立了LDD结构的器件，来研究漏极低电场对这两个效应的影ⅡI匈，发现LDD 结构对单位漏极电流下升高的温度影响并不大，但是可以降低KINK效应对器件的影响， 应的影n向降到最低。其次，对于自加热效应，讨论了温度对器件性能的影响，白加热效 应对器件性能的影响以及器件参数对白加热效应的影响，给出了影响自加热效应的几个 关键的因素。由模拟可知，薄膜晶体管的白加热效应使其阈值电压降低、漏电流增大、 亚阈值斜率变大、漏电流在饱和区出现继续增大的现象。对多晶硅薄膜晶体管影响较大 的有器件沟道厚度、衬底厚度和材料等。对于KINK效应，讨论了KINK效应对器件性 能的影响以及几个参数对KINK效应的影响。模拟表明，KINK效应使器件的输出特性 曲线在饱和区出现向上的翘曲，漏极电导出现不稳定的现象。 Abstract Abstract an roleforLCD the of Poly-SiTFT§playimportant fabrications，enhancingintegration bothactivematrixand onthesame peripheraldrivingcircuitry andKINK TFTslcadtosome effects．1ike effect effectwhich poor self-heating mainly inducedtheinherent on ofthinfilmtransistonFor by SOI(siliconisolator)structure effect．heat intheTFTchannelfromJoule cannotbe self-heating generated heating totheoutsideviathe substratewhichhave thermal efficientlydissipated glass high resistivity． theK烈Keffect．thereisa inthechannelbottombecauseofthe Regarding floatingregion substrate．、Ⅳhenthedevice ata drain ionizationeffect gl