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电子封装专用设备 第一部分 半导体制造主要工艺流程与设备概述。 图1 半导体制造、封装、测试工艺流程 图2 芯片制造基本工艺流程图 半导体制造工艺是由多种单项工艺组合而成的，主要包括以下四类：薄膜形成工艺；图形转移工艺；掺杂工艺；热处理工艺。 ⑴ 薄膜形成工艺与设备 薄膜工艺包括氧化工艺和薄膜淀积工艺。通过生长或淀积的方法，生成集成电路制造过程中所需的各种材料的薄膜，如金属层、绝缘层等。 氧化(Oxidation)工艺的主要目的是在硅衬底表面形成氧化膜SiO2。 在硅衬底表面形成SiO2氧化膜的方法：化学气相淀积(CVD)和氧化。其中氧化又分为自然氧化（在常温下，硅表面可生长出SiO2氧化层，厚约2nm）和热氧化(Thermal Oxidation)（在高温炉中反应，形成较厚的SiO2氧化层，也称为热生长法） 热氧化法的3种环境：①干氧氧化(O2) ②水蒸气氧化(H2O) ③湿氧氧化(H2O+O2) 图3 热氧化生成二氧化硅设备原理示意图 氧化炉主要有高温干式氧化炉和高温湿式氧化炉两种，基本原理如上图所示。 化学气相淀积(CVD, Chemical Vapor Deposition)是利用气态的先驱反应物，以某种方式激活后，通过原子或分子间化学反应的途径在衬底上淀积生成固态薄膜的技术。利用CVD可获得高纯的晶态或非晶态的金属、半导体、化合物薄膜，能有效控制薄膜化学成分，且设备运转成本低，与其他相关工艺有较好的相容性。CVD技术已有100多年历史，应用领域很广，如轴承的耐磨涂层、核反应堆里的耐高温涂层。 CVD工艺采用的设备为CVD反应炉，有卧式反应炉立式反应炉。 （PECVD）其中PECVD是通过高能射频源获得的等离子体提供能量，不容易对硅衬底造成损伤。每种工艺方法都有装用设备。 ⑵ 图形转移工艺 图形转移工艺包括光刻工艺和刻蚀工艺。从物理上说，集成电路是由许许多多的半导体元器件组合而成的，对应在硅晶圆片上就是半导体、导体以及各种不同层上的隔离材料的集合。集成电路制造工艺首先将这些结构以图形的形式制作在光刻掩模板上，然后通过图形转移技术将图形转移到硅晶圆片上。 光刻工艺是一种图像复印技术，是集成电路制造工艺中的一项关键工艺。光刻利用光刻胶感光后特性发生改变的原理，将光刻掩模板的图形精确地复印到涂在硅晶圆片上的光刻胶上，然后利用光刻胶作为掩模保护，在晶圆片表面的掩模层上进行选择性加工（刻蚀或注入），从而在晶圆片上获得相应的电路图形结构。 光刻工艺三要素是光刻机，掩膜板和光刻胶。光刻机会在后面星系介绍。光刻掩膜版是集成电路设计与实际晶圆的中间环节，作用相当于将图形印到半导体材料上的膜版。光刻掩膜版的生产与晶圆的生产原理基本相同。在半导体生产早期，光刻掩膜版的生产非常简单。掩膜版上的图形与晶圆上的相同，1：1地从光刻掩膜版传输到晶圆上，并且芯片上芯片模的数量与光刻掩膜版上的相同。光刻胶(Photoresist, Resist)又叫光致抗蚀剂，是一种由碳、氢、氧等元素组成的有机化合物。正胶(Positive Resist)是指曝光前对某些溶剂不可溶，而曝光后变为可溶的一类光刻胶。负胶(Negative Resist)是指曝光前对某些溶剂是可溶的，曝光后硬化成不可溶解的一类光刻胶。光刻工艺步骤为（1）表面准备（2）涂胶（3）软烘焙（4）对准和曝光（5）显影（6）硬烘焙（7）显影检查（8）刻蚀（9）去除光刻胶（10）最终检查。 刻蚀就是将涂胶前所淀积的薄膜中没有被光刻胶（经过曝光和显影后）覆盖和保护的部分去除掉，达到将光刻胶上的图形转移到其下层材料上的目的。刻蚀工艺主要有湿法刻蚀和干法刻蚀。湿法刻蚀(Wet Etch)是利用溶液与被刻蚀材料之间的化学反应，来去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分，从而达到刻蚀目的。化学溶液称为刻蚀剂(Etchant)。设备为湿法刻蚀机。干法刻蚀(Dry Etch)是利用低压放电产生的等离子体(Plasma)中的离子或游离基(处于激发态的分子、原子及各种原子基团等)，与材料发生化学反应或通过轰击等物理作用或两者相结合，从而达到刻蚀的目的。干法刻蚀采用的是气体刻蚀剂。设备有等离子体刻蚀机和反应离子刻蚀机等。 掺杂工艺 掺杂工艺包括扩散工艺和离子注入工艺，通过这些工艺将各种杂质按照设计要求掺入晶圆片的特定位置上，形成晶体管的各“极”以及欧姆接触（金属与半导体的接触）等。 扩散(Diffusion)是一种常用的衬底掺杂(Doping)工艺，使可控量的掺杂物(Dopant)进入衬底的选定区域。扩散与离子注入（另一种掺杂工艺）