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113:Tx 114:Rx 142:金屬線 112:Pixel ITO123:增加的ITO電極用來增Tx與Rx的觸控感應量 142:Rx 141:Tx 123:上玻璃ITO161:接觸孔 162:接觸孔2 TPK 勇於爭取上游專利可看出上游專利的重要性 * * * * * 240:觸控層 230:CF 210:TFT 華映 In cell touch TW 201115440 觸控Sensor在BM,CF之下 Sensor之下用金屬線來降低ITO的電阻 與 AUO的專利類似,差別在Sensor ITO 於BM層之上或下 菱形區為ITO電極金屬線與 DL,GL,CL 同位置 18:BM 20:CF 14:基板221,222:ITO Sensor 28:金屬線GL:Gate line CL:Com line Samsung In cell touch TW 201209477 觸控Sensor 以單層結構做成On cell 72:ITO Sensor 70:Vcom61:上基板 63:BM 66:CF190:cover lens 192:OCA 82:偏光板 72:ITO Sensor 70:Vcom V com為 Tx ITO Sensor為Rx Samsung In cell touch TW 201222644 與sony類似的 On cell 與 In cell混合設計 此設計的原創為Apple 80a:ITO Sensor 70:Vcom61:上基板 63:BM 66:CF 80a:ITO Sensor 70a:Vcom * * LGD Touch method TW 201227482 驅動觸控感測器之設備與方法 可以切換自電容與互電容兩種模式 先用自電容掃描確定大概位置在用互電容來確定多指與座標。 可以有效的節省時間,降低功耗 可行性很高 雙模式的觸控偵測技術 LGD Touch method TW 201243688 內嵌式觸控面板 改善傳統互電容感應變化小的問題 將 Vcom層圖案化 用金屬線 Vcom層的圖案連接成單層式互電容結構 Tx Rx 在上玻璃上方加上一層圖案化的ITO來增加互電容的感應變化量 TPK AMOLED In cell M420774 使用單層結構 用於RGB AMOLED 與 白光 AMOLED 屬於上游專利 評估專利權不穩(前案很多) TPK 單層結構 TPK用於RGB AMOLED On cell TPK用於RGB AMOLED In cell touch TPK用於 白光AMOLED On cell TPK用於 白光AMOLED in cell touch TPK In cell touch TW201100909 將觸控sensor放置於 CF玻璃的上方,下方,上下方 範圍包含所有的in cell 與 on cell 評估專利取得困難 (前案太多) TPK In cell touch AUO In cell touch I376627 將觸控sensor放置於 CF玻璃的下方 300:電極1 303:電極2 AUO In cell touch I380089 將觸控sensor放置於 CF玻璃的下方 在BM的範圍內加上金屬層來降低ITO sensor 的電阻 108:ITO 電極1 110:ITO電極2118,120:在BM上的金屬層圖案 AUO In cell touch TW 201022761 將觸控sensor放置於 CF玻璃的下方,BM的上方,使用金屬層 Sensor之上有抗反射層 ITO層下有相反圖案的 Vcom層 可以有效的降低自電容 非常值得參考的專利 18:觸控層 60:抗反射層 44:CF層46:BM層 34:圖案化Vcom 58:橋接線 12:基板 56:觸控層 46:BM層 34:圖案化的V com層 觸控層的圖案 AUO In cell touch TW 201201163 使用金屬線圖案化後配置在TFT的ITO電極層上 金屬線寬0.1um~100um 130:TFT基板 172,162:網狀電極 156:開口 168:橋接線165:觸控單元 158:保護層 170:串列 172,162:網狀電極 156:開口 168:橋接線165:觸控單元 170:串列 172,162:網狀電極 156:開口 168:橋接線165:觸控單元 AUO In cell touch TW 200947029 當觸控sensor放置於 CF玻璃的下方時,控制電路的配置法 700:觸控電路 701:觸控訊號線 710:LCD驅動電路 702:L
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