【优质】00128-铜芯片覆晶接合焊锡隆点及其可靠度分析之研究.docVIP

行政院国家科学委员会补助专题研究计划成果报告 ※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※ ※ ※ ※ 铜芯片覆晶接合焊锡隆点及其可靠度分析之研究 ※ ※ ※ ※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※ 计划类别：ˇ个别型计划 □整合型计划 计划编号：NSC 90－2216－E－006－044 执行期间：89 年 08 月 01 日至 92 年 07 月 31 日 计划主持人：林光隆 共同主持人： 本成果报告包括以下应缴交之附件： □赴国外出差或研习心得报告一份 □赴大陆地区出差或研习心得报告一份 □出席国际学术会议心得报告及发表之论文各一份 □国际合作研究计划国外研究报告书一份 执行单位：国立成功大学材料科学及工程学系 中 华 民 国 90 年 10 月 30 日 1  行政院国家科学委员会专题研究计划成果报告 国科会专题研究计划成果报告撰写格式说明 Preparation of NSC Project Reports 计划编号：NSC 90-2216-E-006-044 执行期限：89 年 8 月 1 日至 92 年 7 月 31 日 主持人：林光隆 国立成功大学材料科学及工程学系 共同主持人： 计划参与人员：刘业绣 林建泰 尤志豪 侯振祺 国立成功大学材料科学及工程学系  一、中文摘要 本研究将非晶质无电镀镍铜磷镀层应 用于焊锡隆点结构之扩散障碍层。焊锡隆 点经 220℃、15 秒重流后，无电镀镍铜磷 镀层和 63Sn-37Pb 界面会生成细晶、须晶 和多边形晶等三种不同形态之(Ni,Cu)3Sn4 金属间化合物，而且(Ni,Cu)3Sn4化合物之 表面形态会随重流次数、重流温度和重流 时 间 改 变 ； 须 晶 和 多 边 形 晶 形 态 之 (Ni,Cu)3Sn4化合物在反复重流过程会脱离 无电镀镍铜磷镀层，并散布于 63Sn-37Pb 中，而重流温度超过 Cu-Ni-Sn 三元共晶点 （约 227~231℃）时，无电镀镍铜磷镀层和 熔融 63Sn-37Pb 之反应速率会急遽增加， 且长时间重流会使金属间化合物层变为连 续层。 关键词：非晶质、无电镀镍铜磷、焊锡隆 点 Abstract The amorphous Ni-Cu-P deposit is applied as the diffusion barrier layer of the bump structure in the study. For 63Sn-37Pb solder, the (Ni,Cu)3Sn4 compounds with three different morphologies of fine grain, whisker, and polygon grain were formed at the Ni-Cu-P/63Sn-37Pb interface after reflow at 220℃ for 15 s. Besides, the morphology of the (Ni,Cu)3Sn4 compound changes with respect to reflow cycle, reflow temperature, and reflow time. The whisker and polygon grain detach from the Ni-Cu-P deposit and  2  fall into the 63Sn-37Pb solder during multiple reflow. The (Ni,Cu)3Sn4 compound grows much rapidly when the reflow temperature is above the Cu-Ni-Sn eutectic temperature, 227~231 ℃ . A continuous compound layer forms after long-time reflow. Keywords: amorphous, electroless deposition, Ni-Cu-P, solder bump 二、缘由与目的 焊锡隆点之可靠度除了受焊锡合金材 料性质之影响外，更和隆点底层金属与焊 锡合金之界面反应息息相关[1-3]，因为此 界 面 反 应 常 造 成 金 属 间 化 合 物 (Intermetallic