MgB-%2c2-掺杂系统电子结构和光学性质的第一性原理的研究.pdfVIP

摘 要 MgB2超导电性的发现引起了人们对二元化合物超导体的研究兴趣。人们使用各种 研究方法对二硼化镁系统和二硼化镁掺杂系统的物理性能进行了研究。我们用基于密度 泛函理论的第一性原理的方法研究了二硼化镁掺杂系统的电子结构、超导电性和光学性 质。 论文的主要内容如下： (1)介绍了MgB2系统和MgB2掺杂系统的电子结构、超导电性和光学性质。 (2)介绍了密度泛函理论和论文的计算程序—CASTEP。 理论相结合得到了各系统的超导转变温度。结果表明，Al掺杂系统的B—．B键比Li掺杂系 键远强于B—“键。与MgB2系统相比，Al掺杂使得系统的能带向低能方向移动，“掺杂 使得系统的能带向高能方向移动，并且Al掺杂系统费米面上的总态密度N(Er)降低，超 导转变温度降低，“掺杂系统的费米面上的总态密度升高，超导转变温度升高。 共价键和C—B共价键都比B—B共价键弱，而且还存在弱B—B离子键。Be、C共掺系 统的费米面上的总态密度Ⅳ(翰比C掺杂系统的大，比Be掺杂系统的小。在入射波方 掺系统的有效载流子数％(国)比C掺杂系统的多，比Be掺杂系统的少。Be、C共掺 MgB2系统的超导转变温度比C掺杂系统的高比Be掺杂系统的低。这些现象与Be、C 共掺的补偿作用有关。