一维硫属化合物纳米材料的可控合成及其相关NANOMEMS器件特性的研究.pdf

摘 要 本论文分两部分，第一部分系统研究了一维硫属化合物纳米材料的可控合成、表征、掺杂、 合金化以及相关的硫属化合物基一维纳米器件(NANO device)的制备、性能测量与分析。内容主 要包括：（1）利用氢辅助热蒸发法制备 Cd0.9Mn0.1S 纳米带、 PbS 纳米棒阵列；单晶外延生长 CdE (E=Se, S) 纳米线阵列；利用硫化法制备 CdSXSe1-X 三元合金纳米带；并对上述一维纳米材 料进行了详细的结构表征和光学性能研究。（2 ）采用微加工技术在硅基底上制备单根 CdSX Se1-X 三元合金化合物纳米带场效应管，详细研究了 CdS0.25Se0.75 纳米带的电输运性能。（3 ）讨论了 CdE 纳米阵列作为场发射阴极材料时其场发射的特性。第二部分研究了多晶硅微电子机械系统 （Microelectromechanical System ，MEMS ）器件表面粘附力的测量、模拟和计算。内容主要包括： （1）以双固支梁（DCB ）为研究对象，对其表面粘附力进行了估算。（2 ）以悬臂梁阵列（CBA ） 为研究对象，对其表面粘附能进行了估