准一维硒化锌纳材料的可控掺杂及其纳米光电子器件的研究.pdfVIP

准一维硒化锌纳米材料的可控掺杂及其纳米光电子器件的 研究 摘要 准一维纳米半导体材料具有优异的电学和光学性质，引起了人们广泛的研 991 究兴趣。在宽禁带半导体材料中，II．VI族的硒化锌(ZnSe)尤为引人注目。l 年世界上第一支蓝绿激光二极管即以znSe为基础材料制各而成，比GaN激光 波长在460nm左右)，在发光、光伏以及光电探测器件等光电子器件中应用前 景广泛。因此准一维ZnSe纳米材料及其纳米光电子器件具有重要的研究意义。 米材料的可控掺杂及纳米器件的研究亟待展开。 本论文对于准一维ZnSe纳米材料的可控掺杂及纳米光电子器件进行了系统 的研究。通过在热蒸发过程中引入Cl和N元素，我们实现了准一维硒化锌材 料的n、p型可控掺杂，对合成的掺杂纳米结构的形貌、物相以及成分等微结构 进行了表征。并基于掺杂准一维ZnSe纳米材料构筑了场效应晶体管、pn结、 肖特基二极管以及结型场效应晶体管等纳米器件。研究了掺杂水平以及器件结 构的改进对纳米材料的电学和光学的影响，为准一