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VEGF 在放射性脑损伤中的作用机制及重组人血管内皮抑制素注射液在放射性脑损伤防治中的初探 中文摘要 中文摘要 一、放射性脑损伤模型的建立以及 VEGF 蛋白在放射性脑损伤中的作用 研究 目的 建立放射性脑损伤（radiation-induced brain injury, RBI ）动物模型，研究RBI 病理机制，并探讨脑血管内皮细胞 （brain capillary endothelial cells, BEC ）、胶质及 神经细胞 （gliacyte and neuron, GN ）表达血管内皮细胞生长因子（vascular endothelial growth factor, VEGF ）蛋白的生物学功能。 方法 健康SD 大鼠随机分为假照组(Sham)和照射组（IR ，20 Gy 电子线，6 MeV ）， 分别于照后1、3、7、14、28 、42 、56 天被处死，取全部脑组织。分别通过HE 染 色光镜及透射电镜 （transmission electron microscopy, TEM ）观察病理学变化，组 织干湿比法测定脑组织含水量 （brain water contents, BWC ），免疫组织化学结合计 算机图像处理检测BEC 、GN VEGF 蛋白积分光密度值（integrated optical density , IOD ）的变化。 结果 （1）照后第 1 天IR 组即出现脑毛细血管间隙增宽，内膜破裂等血管源性水 肿病理学表现，在照后第3、28 天出现血栓形成高峰；IR 组脑组织在观察期主要 历经了脑血管内膜细胞受损、血管源性水肿、血栓发生、血栓消融、血管再通及 新生等病理变化过程； （2 ）较Sham 组而言，IR 组的BWC 自照后14 天起明显增高，其中第14 及 28 天升高有统计学意义； （3 ）IR 组自在照后第1 天起即出现VEGF 染色阳性的BEC 及GN，并持续 到观察终点，两者均在第14 天达到表达高峰； （4 ）照后第1、14、42 、56 天，GN VEGF 蛋白IOD 出现显著升高，BEC VEGF 蛋白IOD 在照后第1、14、42 天升高具统计学意义； I VEGF 在放射性脑损伤中的作用机制及重组人血管内皮抑制素注射液在放射性脑损伤防治中的初探 中文摘要 （5 ）BWC 与GN VEGF 蛋白IOD 存在部分正相关。 结论 （1）射线可致血脑屏障（blood brain barrier, BBB ）损伤并诱发血管源性水肿 的形成，后者参与了RBI 的发生发展； （2 ）RBI 模型中脑毛细血管内血栓的形成与消融可能导致了脑血流灌注以及 BBB 的双相变化； （3 ）VEGF 蛋白在RBI 急性期参与了诱导水肿、形成血栓，在RBI 早发延迟 期参与了血管修复与再生、血栓消融等事件。 二、VEGF 在 RBI 模型中的变化及分子间作用机制 目的 从细胞分子学层面进一步研究，以阐明VEGF mRNA 及蛋白在RBI 进程中的 表达变化及与相关分子间的相互调控，并探索抗-VEGF 在RBI 发生后的治疗时机。 方法 通过实时荧光定量逆转录多聚酶链反应（QRT-PCR ）分别检测 VEGF 、核转 录因子（nuclear factor κB, NF-κB ）、细