NiOZnOTiO2系统陶瓷的电性能的研究.pdf

OFELECTRICALoF INVESTIGATION SYSTEMCERAMICS Ni0．ZnO-Ti02 AThesisSubmittedto Shanxi ofScienceand University Technology inPartialFulfillmentofthe for of Requirementthe。Degree Master of．E．．．．n．．．g．．．i．n．．．e．．．e．．．r．．i．．n．．．a．．．．S．．．．c．．i．．e．．n．．．c．．．e． Thesis Supervisor：Professor．Y．．．o．．．n．．．．g．．．o．．．i．n．．．a．．．．．P．．．．u．． May，2014 NiO．ZnO．Ti02系统陶瓷的电性能研究 摘要 当前随着高新技术的迅猛发展，电子陶瓷及其元件在各个领域的应用日 含铅。含Pb氧化物不可避免地因为各种原因流入生活环境和自然环境，从而 对人体和自然环境造成危害。由于当前各国对环保要求的不断提高，PTC材 体陶瓷发热体作为一种新型的无铅PTC陶瓷材料，引起了研究者的广泛关 注。它的制造工艺十分简单，而且无铅，在温度传感器、加热、控制等方面 了研究，旨在寻找一种新型的PTC陶瓷材料的配方和制备工艺。 实验采用传统固相法，通过两种不同的途径分别制备出了 样品均表现出了PTC特性，说明两种方法均可以制备出具有PTC效应的新型 PTC陶瓷。 陶瓷样品，通过测试得出，样品的最佳烧结温度为1340℃；陶瓷样品中含 温度的升高出现明显的PTC效应；样品电阻率会随着ZnO含量的增加而逐 低的室温电阻率(966Q．cm)。此系统组成的陶瓷有望成为一种新型的具有高 突跳温度、低室温电阻率的无铅PTC陶瓷。 而改变ZnO。。和NiO。。的含量。研究了组成和烧结温度等因素对该系统陶瓷 的晶型结构、微观形貌和PTC性能的影响。研究结果显示：该三相系统陶 瓷表现出明显的PTC效应，室温电阻率低，电阻率最大值出现在340℃以上， 这为研究制备出高突跳温度、低室温电阻率的无铅PTC陶瓷指明了一个方 向。该系统陶瓷的最佳烧结温度为1400℃，在该温度下，陶瓷样品的室温 电阻率较低，突跳温度较高但R一瓜min偏小，这是由于该系统陶瓷的PTC 效应是以热膨胀为基础的，因此是一种迟缓型的PTC陶瓷。 性能不稳定，可重复性差。这主要是由于前者的陶瓷样品中含有固溶体物相， 该物相的存在使晶格稳定，阻止某些晶型转变的发生，同时，固溶体的强度 与硬度往往高于各组元。而且，形成固溶体后对材料物理性质如电学、热学、 磁学等也产生了一定的影响。 一．研究发现：PTC陶瓷样品的组分含量的变化以及烧结温度的不同也会对 其P．TC性能产生严重的影响，选择最优的组分，以及最佳烧结温度是合成 该系统陶瓷的关键。电极的选择也对PTC陶瓷的PTC特性会产生较大的影 响。这主要是由于金属电极与半导瓷接触会产生非欧姆接触，进而影响陶瓷 样品的电阻率。因此，PTC陶瓷样品进行测试时首选铟一镓电极，在达不到 测试温度的情况下，选择被铝电极，以保证测试结果最接近实际值。 关键词：正温度系数，NiO—ZnO—Ti02系统，室温电阻率，突跳温度 II INVESTIGATIoNoFELECTIUCALoF SYSTEMCERAMICS Ni0I-ZnO—Ti02 ABSTRACT At