Eu、Li掺杂一维纳米ZnO研究.pdfVIP

摘 要 摘要 子束缚能高达60meV，作为短波长光电子材料在半导体发光器件、半导体激光 器以及紫外探测等领域具有非常广阔的发展前景。另外，纳米ZnO其性能会因 维度和尺度的限制而表现出很多特有的优越效应，所以近年来纳米ZnO的研究 一直都是学术界的研究热点。 为了获得高效率的ZnO同质、异质结发光器件，现阶段主要通过掺杂来对 材料，首先通过燃烧法合成样品并对其进行退火处理，之后对样品的各性能进 行测试，寄希望能获得性能良好的znO半导体材料。主要结论如下： ZnO：Eu纳米材料： ZnO禁带内形成一个浅施主能级，此杂质能级的存在增强了样品的紫外发射同 时抑制了样品的本征缺陷发射。另外Eu3+掺：杂带来的俄歇效应和Fano效应，同 样影响着样品的发光性能。 以此可以通过二次激发途径获得稀土离子的4f壳层发光。 ZnO：Li纳米材料： 1、600℃退火处理样品为间隙固溶体结构，Li+在主体能隙中提供了一个深 施主能级和一个浅施主能级。浅施主能级的存在增强了样品的紫外发射同时抑 制了样品与深施主能级相关的绿光发射。 2、1000℃退火处理样品后，得晶体结构收缩，C轴方向明显缩短，意味着 得带隙边紫外发射出现双峰，而且还形成一些深能级。 关键词：燃烧法；氧化锌；掺杂；缺陷能级；发光 ABSTRACT ABS『rRACT ZnOisaII-V1wide with exciton eV)semiconductorlarge direct-gap《3．37 of60meVatroom hasextensive of bindingenergy temperature．It perspective insemiconductor lasers，UV development light—emittingdevices，semiconductor detectorsandSO hasbecomearesearchfocusinrecent on．Moreover,nano—ZnO years and becauseofits derivedfromthelimitationindimension uniquesuperiorproperties scale． At isthemain usedtomodificateandtailorthe present，dopingmeans energy ofZnOtoobtian efficient or gap high l[1|omojunctionheterojunctionlight—emitting devices．This studiedZnO：EuandZnO：Li1一D nano—materials papermainly hybrid whichwere via methodwith combustion synthesised post