化学气相沉积二.ppt

6.7 金属薄膜淀积 W的CVD 覆盖式化学气相淀积钨与回刻 表面原位预清洁 去掉接触孔及铝通孔内的氧化层 淀积接触层 与TiN相比Ti与硅衬底的接触电阻比较小 淀积附着层/阻挡层TiN TiN与钨及其它介质层的附着性能好 6.7 金属薄膜淀积 W的CVD 覆盖式化学气相淀积钨与回刻 淀积钨，分成两步 去掉接触孔及铝通孔内的氧化层形成一薄层钨，大约几十nm 台阶覆盖性不是很好 然后，氢气还原反应淀积剩余厚度的钨膜 氢气还原反应淀积W不能在TiN上稳定地凝聚 回刻 附着层/阻挡层的刻蚀 * 6.7 金属薄膜淀积 6.7 金属薄膜淀积 W的CVD CVD 钨膜的应力 钨栓应力不必考虑 互联钨层应力必须考虑 钨栓的电阻 对于深亚微米工艺，钨栓电阻对总电阻影响过大，考虑用铝栓或铜栓代替。 6.7 金属薄膜淀积 W的CVD硅化物 LPCVD（300～400℃） 增大SiH4的流量，才能保证淀积的是WSix而不是W。 当x2.0时在淀积的硅化钨薄膜中将含有过量的硅，可以避免薄膜碎裂剥离。 WSix薄膜中含有较高浓度的氟，当该薄膜用到厚度低于20nm的栅氧上的时候，会使栅氧击穿电压降低和较明显的阈值电压漂移。 6.7 金属薄膜淀积 W的CVD硅化物 LPCVD(570~600 ℃) 氟的含量比使用硅烷反应生成的薄膜要低的多，并且氯的含量很低。 DCS的阶梯覆盖性要比硅烷好。 生成的硅化钨薄膜的碎裂剥落不太严重。 DCS代替硅烷 CVD WSix。 6.7 金属薄膜淀积 Al的CVD AL的优点（适用于0.25um以下工艺） 对接触孔填充性好 电阻率低 一次完成填充和互连 采用有机金属化合物源（TMA;DMAH;DMEAA) 铝生产中的问题 安全 保持稳定性 CVD铝抗电迁移能力较差 * 小结：CVD和PVD薄膜淀积 二氧化硅薄膜：APCVD,LPCVD, 氮化硅薄膜：LPCVD,PECVD 多晶硅薄膜：LPCVD 金属及金属化合物薄膜：CVD,PVD Al，Cu，Ag，Au… W，WSix，TiN, * 作业 淀积薄膜需要满足哪些质量要求？并解释各个特性参数的概念。 简述CVD和PVD的工艺原理。 集成电路工艺中常用的薄膜都有哪些？并具体阐述其中三种常用薄膜的工艺方法。 解释以下几个物理概念：辉光放电，台阶覆盖特性，气缺现象，钨插塞，等离子体，单晶硅和多晶硅。 比较APCVD,LPCVD和PECVD的各自特点。 热氧化与CVD生长的SiO2薄膜有什么不同？ CVD生长SiO2薄膜常用的三种硅源反应剂分别是什么？TEOS/O3技术淀积SiO2薄膜的优点和存在的问题。 集成电路工艺原理 * * 集成电路工艺原理 * * 集成电路工艺原理 * * 集成电路工艺原理 * * 第六章 化学气相沉积 6.1 CVD概述 6.2 CVD工艺原理 6.3 CVD工艺方法 6.4 二氧化硅薄膜的淀积 6.5 氮化硅薄膜淀积 6.6 多晶硅薄膜淀积 6.7 金属及金属化合物薄膜 * 6.4 二氧化硅薄膜淀积 二氧化硅的用途 6.4 二氧化硅薄膜淀积 二氧化硅薄膜的特性 要求 厚度均匀、结构性能好，离子和化学玷污要低，与衬底之间有良好的黏附性，具有较小的应力以防止碎裂，完整性要好以获得较高的介质击穿电压，较好的台阶覆盖以满足多层互联的要求，针孔密度要低，较低的K值以获得高性能器件和较高的产率。 衡量二氧化硅薄膜质量指标 折射系数与热氧化的折射系数1.46相比 大于1.46，富硅 小于1.46，低密度多孔薄膜 6.4 二氧化硅薄膜淀积 CVD SiO2的方法 低温CVD SiO2 ：低于500℃ 中温LPCVD SiO2：500～800℃ TEOS与臭氧混合源的SiO2淀积：低于500℃ 高温LPCVD淀积 6.4 二氧化硅薄膜淀积 低温CVD SiO2 LPCVD or APCVD (250~ 450 ℃) 低温淀积生成的SiO2薄膜的密度低于热生长二氧化硅，折射系数为1.44，较易腐蚀。可在700~1000 ℃温度范围内进行热处理，以实现致密化。 致密化是一个减少SiO2玻璃体中H2O的成分，增加桥键氧数目的过程。 6.4 二氧化硅薄膜淀积 低温CVD SiO2 PECVD （200~ 400 ℃） 可用N2O： SiH4 的比值来控制生成物的成分 稀释的HF溶液对SiO2薄膜的腐蚀速率可以非常精确的反应薄膜的配比和密度。 高密度等离子体（HDP）CVD可在120 ℃的低温下淀积质量很好的SiO2薄膜。 6.4 二氧化硅薄膜淀积 低温CVD SiO2 PECVD （250-425 ℃） 正硅酸四乙酯