接触与离子互连(可编辑).ppt

金属化：金属及金属性材料在IC中的应用。金属化材料分类：（按功能划分） MOSFET栅电极材料-MOSFET器件的组成部分； 互连材料—将各个独立的元件连接成为具有一定功能的电路模块。 接触材料—之间与半导体材料接触的材料，以及提供与外部相连的接触点。 互连材料—Interconnection 互连在金属化工艺中占有主要地位 AL-Cu合金最为常用 W塞（80s和90s） Ti：焊接层 TiN：阻挡、黏附层 未来互连金属- - Cu COMS标注金属化 互连：Al—Cu合金 接触孔与通孔：金属W（Ti/TiN/W） Ti/TiN：焊接层、阻挡层、防反射层 电极材料：金属硅化物，如TiSi2 集成电路对金属化的基本要求 形成低阻欧姆接触； 提供低阻互连线； 抗电迁移； 良好的附着性； 耐腐蚀； 易于淀积和刻蚀； 易键合； 层与层之间绝缘要好。 9.2 金属化材料及应用 常用金属材料：Al、Cu、Pt、Au、W、Mo等 常用的金属性材料： 掺杂的poly-Si； 金属硅化物--PtSi、CoSi2、WSi2、TiSi2； 金属合金--AlSi、AuCu、CuPt、TiB2、SiGe、ZrB2、TiC、MoC、TiN。 9.2 金属化材料及应用 多晶硅 栅和局部互连； 70s中期后代替Al作为栅极， 高温稳定性；满足注入后退火的要求，Al不能自对准 重掺杂，LPCVD淀积 硅化物 电阻率比多晶硅更低， 常用TiSi2，WSi2和CoSi2 9.2 金属化材料及应用 2、硅化物 9.2 金属化材料及应用 铝（Al） 最常用的金属 导电性第四好的金属 - 铝 2.65 μ Ω -cm - 金 2.2 μ Ω -cm - 银 1.6 μ Ω -cm - 铜 1.7 μ Ω -cm 1970s中期以前用作栅极电极金属 9.2 金属化材料及应用 钛Ti：硅化钛、氮化钛 Ti/TiN的作用： 阻挡层：防止W扩散 粘合层：帮助W与SiO2表面粘合在一起 防反射涂层ARC（Anti-reflection coating），防止反射提高光刻分辨率 9.2 金属化材料及应用 5、钨W 接触孔和通孔中的金属塞 接触孔变得越来越小和越窄 PVD Al合金：台阶覆盖性差，产生空洞 CVD W ：出色的台阶覆盖性和空隙填充能力 CVD W：更高电阻率：8.0-12 mW-cm PVD Al合金（2.9-3.3 mW-cm） W只用作局部互连和金属塞 9.2 金属化材料及应用 6、铜 Low resistivity(1.7 μΩ×cm) — lower power consumption and higher IC speed High electromigration resistance — better reliability Poor adhesion with silicon dioxide Highly diffusive，heavy metal contamination Very hard to dry etch — copper-halogen have very low volatility 9.2.1 Al的性质 电阻率：Al为2.7 μ Ω/cm，（Au2.2 μ Ω/cm，Ag1.6 μ Ω/cm，Cu1.7 μ Ω/cm） Al合金为3.5 μ Ω/cm； 溶解度：Al在Si中很低，Si在Al中 相对较高，如400℃时， 0.25wt%；450℃时， 0.5wt%；500℃时，0.8wt%； Al-Si 合金退火：相当可观的Si溶解到Al 中。 9.2.2 Al/Si接触的物理现象 Al/Si互溶:Al在Si中的溶解度非常低； Si在Al中的溶解度相对较高。 Si在Al中扩散：Si在Al薄膜中的扩散比在晶体Al中大40倍。 Al与SiO2反应：3SiO2+4Al→3Si+2Al2O3 好处：降低Al/Si欧姆接触电阻； 改善Al与SiO2的粘附性 最常用的材料使Al：采用溅射淀积 9.2.4 电迁移现象及改进 电迁移：大电流密度下，导电电子与铝金属离子发生动量交换，使金属离子沿电子流方向迁移。 现象：在阳极端堆积形成小丘或须晶，造成电极间短路；在阴极端形成空洞，导致电极开路。 改进电迁移的方法 a.“竹状”结构：晶粒间界垂直电流方向。 b.Al—Cu/Al—Si—