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接触与离子互连(可编辑).ppt
金属化:金属及金属性材料在IC中的应用。金属化材料分类:(按功能划分) MOSFET栅电极材料-MOSFET器件的组成部分; 互连材料—将各个独立的元件连接成为具有一定功能的电路模块。 接触材料—之间与半导体材料接触的材料,以及提供与外部相连的接触点。 互连材料—Interconnection 互连在金属化工艺中占有主要地位 AL-Cu合金最为常用 W塞(80s和90s) Ti:焊接层 TiN:阻挡、黏附层 未来互连金属- - Cu COMS标注金属化 互连:Al—Cu合金 接触孔与通孔:金属W(Ti/TiN/W) Ti/TiN:焊接层、阻挡层、防反射层 电极材料:金属硅化物,如TiSi2 集成电路对金属化的基本要求 形成低阻欧姆接触; 提供低阻互连线; 抗电迁移; 良好的附着性; 耐腐蚀; 易于淀积和刻蚀; 易键合; 层与层之间绝缘要好。 9.2 金属化材料及应用 常用金属材料:Al、Cu、Pt、Au、W、Mo等 常用的金属性材料: 掺杂的poly-Si; 金属硅化物--PtSi、CoSi2、WSi2、TiSi2; 金属合金--AlSi、AuCu、CuPt、TiB2、SiGe、ZrB2、TiC、MoC、TiN。 9.2 金属化材料及应用 多晶硅 栅和局部互连; 70s中期后代替Al作为栅极, 高温稳定性;满足注入后退火的要求,Al不能自对准 重掺杂,LPCVD淀积 硅化物 电阻率比多晶硅更低, 常用TiSi2,WSi2和CoSi2 9.2 金属化材料及应用 2、硅化物 9.2 金属化材料及应用 铝(Al) 最常用的金属 导电性第四好的金属 - 铝 2.65 μ Ω -cm - 金 2.2 μ Ω -cm - 银 1.6 μ Ω -cm - 铜 1.7 μ Ω -cm 1970s中期以前用作栅极电极金属 9.2 金属化材料及应用 钛Ti:硅化钛、氮化钛 Ti/TiN的作用: 阻挡层:防止W扩散 粘合层:帮助W与SiO2表面粘合在一起 防反射涂层ARC(Anti-reflection coating),防止反射提高光刻分辨率 9.2 金属化材料及应用 5、钨W 接触孔和通孔中的金属塞 接触孔变得越来越小和越窄 PVD Al合金:台阶覆盖性差,产生空洞 CVD W :出色的台阶覆盖性和空隙填充能力 CVD W:更高电阻率:8.0-12 mW-cm PVD Al合金(2.9-3.3 mW-cm) W只用作局部互连和金属塞 9.2 金属化材料及应用 6、铜 Low resistivity(1.7 μΩ×cm) — lower power consumption and higher IC speed High electromigration resistance — better reliability Poor adhesion with silicon dioxide Highly diffusive,heavy metal contamination Very hard to dry etch — copper-halogen have very low volatility 9.2.1 Al的性质 电阻率:Al为2.7 μ Ω/cm,(Au2.2 μ Ω/cm,Ag1.6 μ Ω/cm,Cu1.7 μ Ω/cm) Al合金为3.5 μ Ω/cm; 溶解度:Al在Si中很低,Si在Al中 相对较高,如400℃时, 0.25wt%;450℃时, 0.5wt%;500℃时,0.8wt%; Al-Si 合金退火:相当可观的Si溶解到Al 中。 9.2.2 Al/Si接触的物理现象 Al/Si互溶:Al在Si中的溶解度非常低; Si在Al中的溶解度相对较高。 Si在Al中扩散:Si在Al薄膜中的扩散比在晶体Al中大40倍。 Al与SiO2反应:3SiO2+4Al→3Si+2Al2O3 好处:降低Al/Si欧姆接触电阻; 改善Al与SiO2的粘附性 最常用的材料使Al:采用溅射淀积 9.2.4 电迁移现象及改进 电迁移:大电流密度下,导电电子与铝金属离子发生动量交换,使金属离子沿电子流方向迁移。 现象:在阳极端堆积形成小丘或须晶,造成电极间短路;在阴极端形成空洞,导致电极开路。 改进电迁移的方法 a.“竹状”结构:晶粒间界垂直电流方向。 b.Al—Cu/Al—Si—
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