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第三章 工作原理及表征参数 3.1 太阳电池的基本结构 3.2 太阳电池的工作原理 3.3 太阳电池的分类 3.4 太阳电池的表征参数 太阳电池的基本结构 有机发光二极管 无机太阳电池的基本结构 n区 p区 电极 阳 光 金属全覆盖背表面 电厂 照明 Si太阳电池的基本结构 p区（基体材料） n区 ～300μ ～0.2μ 电极 阳 光 金属全覆盖背表面 图中的p-n结，即p型和n型半导体的交界处可以提供一个内置电场，作用是分离光生载流子。 内置电场 有效力场 作用：分离光生载流子 太阳电池的工作原理 p-n 结的形成 光的性质 光在纯净半导体中的吸收 光生伏特效应 得到p-n结的常用方法： 扩散 离子注入 p-n 结的形成 把原始的p（或n）型半导体材料，放入含有n（或p）型掺杂剂气氛的扩散炉中进行扩散，扩散深度约为0.2微米，从而在材料的表面下形成一个结。 把杂质原子电离，并用强电场加速，直接打入到半导体基体材料中。 p-n 结的形成 P型半导体和N型半导体紧密接触 交界面出现电子和空穴的浓度差 电子从N区向P区扩散 空穴从P区向N区扩散 P区 N区 空间电荷区 内建电场方向 （势垒电场） 半导体p-n结的形成 扩散运动 漂移运动 动态平衡的结果 P区 N区 式中， 光的性质 光是一种电磁波，具有双重性，即同时具有波动性和微粒性。 光不是以连续的能流而是以单个的，互不联系的个体，即光子的形式进行辐射来传递能量的。 每个光子具有一定的能量，不同频率下的光子能量不同。可表示为： 光子的能量 普朗克常数 频率 光速 波长 举例： 紫光的光子能量约为～3eV； 红光的光子能量约为～1－2eV。 光子的频率越高，其微粒性就越显著 如：X射线、 射线流主要表现为微粒性， 而对于无线电波等长波辐射，则容易观察到波动性，几乎看不出其微粒性。 到达地面的太阳光辐射能量主要在0.4－4eV范围内。 光在纯净半导体中的吸收 价带 导带 纯净的半导体表面受到光的照射时，这些光子的能量传递给电子，如果电子吸收的能量 达到或超过其禁带宽度 ，电子就能从价带跃迁到导带，脱离共价键的束缚，在半导体的晶格中增加了自由运动的电子－空穴对，从而增加了半导体的导电率，这种现象称为内光电效应。 例如，硅的禁带宽度为1.12eV，大、等于这个数值的太阳光能量，都能产生内光电效应。 禁带 如果给予电子的能量不单把电子逐出共价键，继而逐出半导体，这种现象称为外光电效应。 外光电效应： 只有高频辐射才有足够的能量产生这种现象。辐射到地面的太阳能量只能产生内光电效应，也就是说，一般的太阳能电池依靠内光电效应将光能转换成电能。 光生伏特效应 价带 导带 半导体受光照电离产生的电子－空穴对，必须及时将电子、空穴分离开，否则它们将又复合而还原，对外便起不到导电作用，因此一般不能用纯净的半导体制作太阳电池。 P区 N区 空间电荷区 势垒电场 受光照产生的电子－空穴对，若位于p-n结附近，将受到势垒电场的作用，产生漂移运动，即电子向N区移动，空穴向P区移动。 N区：电子过剩 P区：空穴过剩 移动的结果 在p-n结附近形成了与势垒电场方向相反的光生电场。 光生电场除部分抵消了势垒电场的作用，还使N区带负电，P区带正电。在P-N区间的薄层内产生了电动势，这就是光生伏特效应。若在P、N层上焊上金属导线，接通外电路，便有直流电流在负载中流通，向负载传输电功率，这就是太阳能将光能转变成电能的基本原理。 1. 按基体材料分类： 化合物太阳电池 有机半导体太阳电池 硫化镉太阳电池 砷化镓太阳电池 硅太阳电池 … 太阳电池的分类 CuInGaSe太阳电池 有机/无机杂化太阳电池（染料敏化电池） p区（基体材料） n区 电极 阳 光 金属电极 单晶硅，多晶硅，微晶硅，非晶硅 按基体材料分类： 以硫化镉、砷化镓等化合物作为基体的太阳电池 硫化镉 砷化镓 CuInGaSe p区（基体材料） n区 电极 阳 光 金属电极 化合物太阳电池 有机半导体太阳电池 硫化镉太阳电池 砷化镓太阳电池 硅太阳电池 … CuInGaSe太阳电池 有机/无机杂化太阳电池（染料敏化电池） 按基体材料分类： 以有机物作为基体的太阳电池 有机物 p区（基体材料） n区 电极 阳 光 金属电极 化合物太阳电池 有机半导体太阳电池 硫化镉太阳电池 砷化镓太阳电池 硅太阳电池 … CuInGaSe太阳电池 有机