第七章 一.pptVIP

物理气相沉积(Physical Vapor Deposition, PVD) 化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition, CVD) 在真空条件下，利用各种物理方法，将镀料气化成原子、分子，或离子化为离子，直接沉积到基体表面的方法。 真空蒸镀 溅射镀膜 离子镀膜 分子束外延生长法：以真空蒸镀为基础的晶体生长法 把含有构成薄膜元素的一种或几种化合物、单质气体供给基体，借助气相作用或在基体表面上的化学反应生成要求的薄膜。 常压化学气相沉积 低压化学气相沉积 等离子体化学气相沉积：兼有CVD和PVD二者特点 有机金属化学气相沉积(MOCVD) 激光化学气相沉积(LCVD) §7.1 真空技术基础 §7.2 真空蒸镀 §7.3 溅射镀膜 §7.4 离子镀 §7.5 化学气相沉积 一、真空度和真空区域的划分 1．真空度的单位 “真空”是在指定的空间内压力低于101325Pa的气体状态。 “真空度”用来表示真空状态下气体的稀薄程度，通常用压力表示。压力的单位过去一般用“托”(Torr)表示，现在规定用国际单位制中的压力单位，即帕[斯卡](Pa)表示。 1Pa＝1N/m2＝1kg/(s2·m) 2．真空区域的划分 低真空：105Pa-102Pa 中真空：＜102Pa-104Pa 高真空：＜10-1Pa-10-5Pa 超高真空：＜10-5Pa 二、真空的特点和应用 (1) 排除了空气的不良影响，可防止金属氧化、物体腐烂。 (2) 除去或减少气体、杂质污染，提供清洁条件。 (3) 减少气体分子之间的碰撞次数。 (4) 真空的绝热性强。 (5) 降低物质的沸点或气化点。 真空蒸镀是将沉积材料与工件同放在真空室中，然后加热沉积材料使之迅速熔化蒸发，当蒸发原子与冷工件表面接触后便在工件表面上凝结形成具有一定厚度的沉积层。 在真空室中，膜料被加热变成蒸发原子，蒸发原子在真空条件下不与残余气体分子碰撞而到达工件表面； 蒸发原子与基材碰撞后一部分被反射，另一部分被吸附； 吸附原子在基材表面发生表面扩散； 沉积原子之间产生两维碰撞，形成簇团，有的在表面停留一段时间后再蒸发； 原子簇团与扩散原子相碰撞，或吸附单原子，或放出单原子，这种过程反复进行； 当原子数超过某一临界值时就变为稳定核，再不断吸附其他扩散原子而逐步长大，最后与邻近稳定核合并进而变成连续膜。 电阻加热：高熔点金属 电子束加热：电子枪 高频加热：高频感应线圈 激光加热：激光 设备及工艺操作简单； 可镀不良导体、玻璃、陶瓷等； 沉积速度快； 高熔点及低蒸气压物质蒸镀困难，绕镀性差，镀层较疏松，与基体结合弱，而冲击和磨损性差。 溅射镀膜是利用溅射现象来达到制取各种薄膜的目的，即在真空室中利用荷能离子轰击靶表面，使被轰击出的粒子在基底上沉积的技术。 1. 溅射现象 用几十电子伏或更高动能的荷能粒子轰击材料表面，使其原子获得足够的能量而溅出进入气相，这种溅出的、复杂的粒子散射过程称为溅射。 被轰击的材料称为靶。由于离子易于在电磁场中加速或偏转，所以荷能粒子一般为离子，这种溅射称为离子溅射。 2. 辉光放电 辉光放电是在10-2Pa-10Pa真空度范围内，在两个电极之间加上高压时产生的放电现象。它是离子溅射镀膜的基础，即离子溅射镀膜中的入射离子一般利用气体放电法得到。 阴极溅射：在气体辉光放电炉中，用正离子轰击阴极（待沉积材料作的靶），将其原子溅射出，并通过气相沉积到工件表面上形成薄膜镀层。 离子束溅射：从一个与沉积室隔开的离子源中引出高能离子束，然后对靶进行溅射。 磁控溅射 一、物理气相沉积 在真空磁控离子溅射过程中，磁场被施加在溅射靶的表面以限制高密度的等离子体。氩离子被加速打在加有负电压的阴极（靶材）上。离子与阴极的碰撞使得靶材被溅射出带有平均能量4 - 6 eV的颗粒。这些颗粒沉积在放于靶前方的被镀工件上，形成薄膜。 镀膜密度高、气孔少，与基体结合力强； 任何物质都能溅射镀膜； 所得膜层厚度均匀； 沉积速度慢，设备及工艺操作复杂。 离子镀借助于一种惰性气体的辉光放电，使金属或合金蒸气离子化。离子经电场加速而沉积在带负电荷的基体上。离子镀兼有真空蒸镀与阴极溅射镀两种工艺的特点。 镀料蒸发→离化→离子加速→离子轰击工件表面→离子或原子之间的反应→离子的中和→成膜 这些过程都是在真空、气体放电的条件下完成的。 气体放电等离子体离子镀 射频放电离子镀 空心阴极放电离子镀 多弧离子镀（阴极电弧离子镀） 工艺温度低（600℃）； 离子绕射能力强，镀层均匀； 镀层与基体结合力强；