第九章 光刻.ppt

第九章 光刻 －Lithography 光刻是IC制造业中最为重要的一道工艺 集成电路的特征尺寸是否能够进一步减小，也与光刻技术的近一步发展有密切的关系。 通常人们用特征尺寸来评价一个集成电路生产线的技术水平。 光刻的定义：光刻是一种图形复印和化学腐蚀相结合的精密表面加工技术。 光刻的目的：光刻的目的就是在二氧化硅或 金属薄膜上面刻蚀出与掩膜版完全对应的几何图 形，把掩模版上的图形转换成晶圆上的器件结构,从而实现选择性扩散和金属薄膜布线的目的。 光刻的要求 对光刻的基本要求： （1）高分辨率 （2）高灵敏度 （3）精密的套刻对准 （4）大尺寸硅片上的加工 （5）低缺陷 1. 高分辨率 分辨率是将硅片上两个邻近的特征图形区分开来的能力，即对光刻工艺中可以达到的最小光刻图形尺寸的一种描述，是光刻精度和清晰度的标志之一。随着集成电路的集成度提高，加工的线条越来越细，对分辨率的要求也越来越高。 2.高灵敏度 灵敏度是指光刻胶感光的速度。为了提高产量要求曝光时间越短越好，也就要求高灵敏度。 4.大尺寸硅片的加工 随着晶圆尺寸增大，周围环境会引起晶圆片的膨胀和收缩。因此对周围环境的温度控制要求十分严格，否则会影响光刻质量 9.2 光刻胶的组成材料及感光原理 光刻胶是光刻工艺的核心，光刻过程中的所有操作都会根据特定的光刻胶性质和想达到的预期结果而进行微调。光刻胶的选择和光刻工艺的研发是一个非常漫长的过程。 光刻胶种类 正光刻胶(Positive optical resist) 负光刻胶(Negative optical resist) 正性光刻胶－Positive Optical Resist 正胶的光化学性质是从抗溶解到可溶性。 正胶曝光后显影时感光的胶层溶解了。 现有VLSI工艺都采用正胶 正胶机制 曝光使感光材料(PAC)中分子裂解，被裂解的分子在显影液中很易溶解，从而与未曝光部分形成强烈反差。 负性光刻胶 Negative Optical resist 负胶的光学性能是从可溶解性到不溶解性。 负胶在曝光后发生交链作用形成网络结构，在显影液中很少被溶解，而未被曝光的部分充分溶解。 小结：正性和负性光刻胶 正性光刻胶受光或紫外线照射后感光的部分发生光分解反应，可溶于显影液，未感光的部分显影后仍然留在晶圆的表面 负性光刻胶的未感光部分溶于显影液中，而感光部分显影后仍然留在基片表面。 正胶和负胶的比较 正胶 a)分辨率高 小于1微米 b)抗干法刻蚀能力强 c)较好的热稳定性 负胶 a)对某些衬底表面粘附性好 b) 曝光时间短，产量高 c) 工艺宽容度较高 （显影液稀释度、温度等） d) 价格较低 （约正胶的三分之一） 光刻胶材料参数 1.光刻胶的分辨率（resolution） 在光刻胶层能够产生的最小图形通常被作为对光刻胶的分辨率。 产生的线条越小，分辨率越高。分辨率不仅与光刻胶本身的结构、性质有关，还与特定的工艺有关，比如：曝光光源、显影工艺等。 正胶的分辨率较负胶好，一般2?m以下工艺用正胶 2.灵敏度S (Sensitivity) h为比例常数；I为照射光强度，t为曝光时间 灵敏度反应了需要多少光来使光刻胶曝光，即光刻胶感光所必须的照射量。 曝光时间越短，S越高。 波长越短的光源（射线）能量越高。在短波长光曝光，光刻胶有较高的灵敏度。 3.对比度(Contrast) 衡量光刻胶辨别亮(light)/暗(dark)区域的能力 测量方法：对一定厚度的光刻胶，改变曝光剂量，在固定时间内显影，看显影后留下的光刻胶厚度。 对比度高的光刻胶造成更好的分辨率 4.粘滞性 指的是对于液体光刻胶来说其流动特性的定量指标。 与时间有关，因为它会在使用中随着光刻胶中溶剂的挥发增加。 6.抗蚀性 光刻胶胶膜必须保持它的粘附性，并在后续的湿刻和干刻中保护衬底表面。这种性质被称为抗蚀性。 9.2.1 光刻胶的组成材料 光刻胶由4种成分组成： 树脂（聚合物材料） 感光剂 溶剂 添加剂（备选） 树脂 树脂是一种惰性的聚合物，包括碳、氢、氧的有机高分子。用于把光刻胶中的不同材料聚在一起的粘合剂。 对负性胶，聚合物曝光后会由非聚合状态变为聚合状态。在大多数负性胶里面，聚合物是聚异戊二烯类型。是一种相互粘结的物质－－抗刻蚀的物质，如图所示。 正性胶的基本聚合物是苯酚－甲醛聚合物，也称为苯酚－甲醛树脂。如图所示。 在光刻胶中聚合物是相对不可溶的，用适当能量的光照后变成可溶状态。这种反应称为光溶解反应 固体有机材料（胶膜的主体） 转移图形到硅片上 UV曝光后发生光化学