ZnM（M%3dO，Se，S）准一维纳米结构的制备的分析.pdf

摘要 本文采用化学气相沉积法，分别以过渡族金属镍等的硝酸盐、硒化物、硫化 物作为催化剂，探讨了低成本制备ZnM(M=O，Se，S)纳米线／针、四脚结构等准 一维纳米结构的一些新方法。 1．以硝酸镍为催化剂，在氧含量约20ppm的氧／氩(v／v)气氛中，成功地合 成了平均直径在50纳米，长达20微米的ZnO纳米线。实验发现，在纳米线生长 的开始阶段，其直径呈快速递减而后又趋于稳定的现象，通过对气氛中氧气含量 的考察，ZnO纳米线的生长对氧含量有很强的依赖性，由此我们提出了氧化还原 与气一液一固机制的复合机理，合理地解释了ZnO纳米线的生长。此外，我们还 对ZnO纳米线的其它生长条件进行考察。首先，用硝酸银代替硝酸镍，也得到了 直径相当的ZnO纳米线，但只有几个微米长，而且密度很低，分析认为这可能与 银的活性有关，纳米线的生长由经典的气一液一固机制所控制。其次，我们改以 纯氮作为生长气氛，得到了四脚状的ZnO纳米结构，其生长遵循八面体的孪晶机 制，银的存在对四脚结构的完整性影响很大。 2．在ZnSe准一维纳米结构的制备方面，我们以自制的硒化镍纳米晶为原料， 根据氧化还原机制，在700。C左右成功地获得了具有较高结晶质量的ZnSe纳米 针，并通过调整硒化镍的颗粒直径，成功控制了ZnSe纳米针的直径，从而为ZnSe 准一维纳米结构找到了一个更加适宜的制备途径。在此基础上，通过改用合适的 ZnSe纳米线和微米晶须，它们的生长均遵循氧化还原与气一液一固机制的复合 机制。这些纳米晶原料的选用有利于对传统CVD条件下反应室内的Se蒸气分压 的控制。 3．对ZnS纳米线的制各也作了初步的探索研究。以硫化镍纳米晶作催化剂， 在600～800℃制得了具有立方结构的ZnS纳米线，纳米线的直径在50～80纳米， 长度达到10个微米左右。 关键词：氧化锌硒化锌硫化锌纳米线四脚结构化学气相沉积 ABSTRACT low—costchemical Through vapor deposition one-dimensional nanowire／needle mad nanostructures，including structures， tetrapod been have successfullysynthesizedby nitrate／sulfide／selenideoftransition using metallikenickelas the achievements catalysts．Thefollowingmajor wereobtained． 1．ZnOnanowireshavebeen inthemixtureof successfullyprepared 02／Ar gas asthe Ni(N03)2 diameterof (02：～20ppm，v／v)with growthcatalyst．Theaverage ZnOnanowireswas the wasabout the ofZnO 50nm，andlength 20pro．Atbeginning nanowires diameter