p型多晶硅薄膜晶体管在动态负偏置温度应力下的退化的分析.pdfVIP

P型多品砖薄膜晶体管矗：动态负偏置温度J近力下的退化研究 中文摘要 p型多晶硅薄膜晶体管在动态负偏置温度应力下的 退化研究 中文摘要 Film 本文主要研究了P型多晶硅薄膜晶体管(Thin Bias 温度(Negative NBT应力下的两阶段退化现象。在第一阶段％向正向漂移，在很长一段应力时间之 后‰出现回转现象向负向漂移。本文认为动态NBT应力下的动态效应是引起％正 向漂移主要因素。动态效应强烈的依赖于脉冲的幅度以及脉冲下降沿，幅度越高、下 降沿越快动态效应的影响越明显。动态效应下氧化层中产生了大量的固定负电荷引起 Bias 了器件‰的正向漂移。在动态效应饱和后，直流负偏置温度不稳定(Negative Temperature 动态NBT应力下的氧化层负电荷产生模型，扩散进入氧化层的水汽以及脉冲应力下 降沿时在沟道与源漏之间耗尽区产生的碰撞离化效应认为是退化模型的两个关键因 素。并通过SILVACO软件模拟以及验证实验对所提出的模型进行验证。 此外，本文首次观察到了动态NBT应力后亚阈值区hump由产生到逐渐增大再逐 步消失的过程。研究发现当动态效应主导器件的退化时，能够观察到hump现象，且 随着应力幅度的减小hump出现和消失的时间延后。在高温时，与动态效应一样hump 现象也受到抑制。基于本文提出的动态NBT应力下的退化模型，我们认为边缘寄生 器件的存在以及其在动态NBT应力后不同时间段退化量的不同是引起亚阂值区 hump产生和消失的原因。通过构建由一个中心器件和两个边缘寄生器件组合而成的 器件，模拟应力后的中心器件和边缘器件的不同‰漂移量来拟合实验器件亚阈值区 的hump现象，很好的验证了动态NBT应力下的退化模型。 关键词：多晶硅薄膜晶体管，负偏置温度不稳定，动态效应，碰撞离化，hump 作 者：周 洁 指导教师：王明湘 英文摘要P型多品砖薄膜品体管住动态负偏置温度腑力下的退化研究 ofDevice inP--channel InvestigationDegradation Poly--Si Transistor Bias ThinFilm under DynamicNegative Stress Temperature Abstract of thinfilm bias Degradationp-channelpoly—Si transistors(TFTS)underdynamicnegative hasbeen isobservedforthefirst studied．A behavior temperature(NBT)stresstWO—stagedegradation timeunderthe NBTstress．Devicethreshold towards valuesinthe dynamic voltage(‰)shiftpositive first