圆柱母光栅精密微刻划的研究.pdfVIP

摘 要 长光栅作为高档数控机床检测用精密光栅位置检测元件，其制造精度直接决 定了国家高精密机床制造的水平。利用纳米滚压印技术实现超高精度长光栅的制 造是一种可行且高效的技术。本文以母光栅滚压印模具的制造以及模具制造所用 刀具的 FIB （Focused Ion beam ）加工与修锐为依托进行课题展开。分别对微刻 划刀具的 FIB 制造方法、母光栅微刻划加工工艺的优化设计、微刻划过程中机理 探究三个主要方面进行了深入研究。 刻划刀具的 FIB 制造方法方面，为了满足滚压印光栅制造及应用需求，利用 聚焦离子束纳米制造技术，设计并制造了三角形、梯形等不同几何形状的锋利刃 口微刀具，都取得了良好的刻划效果。 圆柱母光栅微刻划方面，为了满足不同特征结构 （0.5μm ~ 20μm 周期）的母 光栅微刻划制造需求，提出了利用切屑的形态变化而推断切削过程中切削干涉现 象对刻划质量的影响的方法，基于此方法提出了两种提高微刻划表面质量的方 法。分别是提高刀具前刀面张角的方法和多步法，有效实现了微加工毛刺的抑制。 通过大量的刻划实验，针对不同的周期参数，我们得到了在各个尺度下适用的多 步法加工参数，发现针对不同的第一步刻划深度，第二步刻划深度在第一步的 0.33~0.5 倍时能得到最优的刻划质量。通过综合考虑加工效率、刻划质量、压印 效果等多种因素，对刻划刀具进行了优化设计和制造，实现了直径 110mm 的圆 柱母光栅的 20μm 、10μm 和 4μm 周期的整圈高精度微刻划研究。对于 10μm 周 期，刻划总条数为万条以上，连续刻划时间为 62 小时，4μm 光栅周期的平均偏 差为 10nm 以下，实现母光栅的首尾拼接误差小于 500nm 。 在微刻划理论方面，通过在刻划过程中对不同周期刻划的实验我们发现，H62 黄铜材料在微刻划研究中存在显著的尺寸效应：当周期从20μm 减小到 10μm 时 相同的刻划参数下刻划质量会显著提高，但是 10μm 到 2μm 的周期减小过程中质 量则没有明显的改善，在周期小于 2μm 时反而出现了明显的毛刺成片出现的现 象。对于这种现象，我们通过 EDS 能谱分析和离子束成像等显微表征方法，得 出黄铜的金相分布问题是影响微小周期下影响刻划质量的主要因素。 关键词： 微刻划 聚焦离子束 微型 V 沟槽 毛刺 金相 ABSTRACT As a detection device of top grade CNC (Computer numerical control) machine tools for precise grating position detection, large scale micro-pitch grating directly determines the level of the national manufacturing capacity of CNC machine tools. And using nanoprinting roller technology to achieve ultra-high-precision large scale micro-pitch grating is a viable technology innovation. In this paper, the micro-cutting process of the V-shaped grooves on roller grating template for nanoimprint was investigated. We also presented machining method by FIB milling for the diamond tool used in the micro-cutting process. We focused on the three main aspects of micro-cutting: the manufacturing method by FIB milling for the diamond tool, the opt