等离子体薄膜表面制造中的偏压效应研究.pdf

摘要 摘 要 在等离子体工艺过程中，离子轰击效应是促进等离子体与材料相互作用的 关键机制，是决定材料性能和结构的重要因素。偏压辅助等离子体技术将等离 子体化学活性与离子轰击效应相结合，形成了其他方法不可替代、有鲜明特色 的技术优势，在工业和高科技领域得到了广泛应用。 偏压的应用同时对体等离子体状态产生影响，形成一个多参数相互耦合的 复杂等离子体系统，其中还存在着未知的或尚未充分理解的物理现象和过程。 本论文从实验和数值模拟两方面，重点研究多种配置偏压辅助等离子体技术中 偏压效应的物理机制，并探索其在新型功能薄膜特征表面制造中应用的新工艺 和相关的等离子体气相机理。 针对多种单原子和双原子分子气体，研究了基底直流、射频偏压与电子回 旋共振(ECR)体等离子体之间的耦合效应及放电特性。研究表明，基底直流偏压 使氢等离子体密度大大提高，对中性原子密度则基本无影响。基底射频偏压与 体等离子体之间呈现出复杂的耦合效应。在基底射频偏压与体等离子体相互作 用中，偏压频率起着重要作用。高频偏压(13．56MHz)可产生独立的射频放电， 与ECR等离子体耦合成EC刚I强双频放电等离子体，对体等离子体中电子有明 显的加