CMOS后处理中体硅正面释放和保护技术的研究.pdfVIP

单片集成是传感器发展的未来趋势，它将MEMS器件和接口电路、处理电路集成在一块芯片上。 cMOS后处理工艺释放制作的微型传感器能够实现低成本、高性能、高度一致性和大规模生产，这 也是M匣MS传感器相对于传统传感器的显著优势。 从正面释放体硅结构，简化了工艺流程、降低了操作难度，容易形成工艺标准，并且相对于背 面释放技术，腐蚀时间大大缩短，因此越来越受到研究者的重视。 本课题的目标是建立与CMOS工艺兼容的体硅正面释放技术，主要是实现湿法腐蚀中芯片正面 的结构保护，并利用PN结自停止腐蚀来释放N阱结构。 利用掺硅的n嗄AH溶液对铝的腐蚀速率慢并且与cMOs工艺兼容的特点，可实现对用铝做腐 蚀掩膜的CMoS结构的保护。本文研究了掺硅TMAH溶液的相关特性，确定溶液配比为 “5眦．％m～H+1．8雠．％Si”，其腐蚀硅较快，且几乎不腐蚀铝和氧化层。在此基础上分析了影响电 钝化腐蚀特性的各种因素，测量了不同类型的硅片在改进TMAH溶液中的I．V特性，其中P型硅片 的开路电势为．1．33V，N型硅片的钝化势为．0．93V。 本文设计了体硅正面释放实验，在版图中加入常用的各种MEMS结构，在铝保护层完好的情况 下，分别采用三电极系统及四电极系统成功释放出了结构；并设计了多晶硅保护实验，50％以上多 晶硅保护良好，结构也基本释放。 实验结果表明与CMOs工艺兼容的体硅正面释放技术完全可行，为以后利用此技术制作各类传 感器奠定了一定的基础，应该做进一步的研究将其应用于后处理工艺。 关键词：CMOS兼容性、n似H、正面释放、正面保护 ABSTRACT ABSTRACT Monolithic MEMS circuitsona integrationinte卿es deVices，interf弛circuits锄dprocessing single a11dbecomesthetrendofsensor micr0·sellSo体fabricatedCMOS chip deVel叩ment．For by咖dard a11dMEMS couldachieVe processes post-processing lo、V-c0瓯highperf．0加ance，highunifo肌i秒锄d m嬲s bea witllthen．aditionalo舱s． may production，thissi印i6c锄tadV锄tagecompared reIe瓠e Front-side bulksiliconnot the butalsois technolo影of onlysimplifiesprocess锄doperation t0fomlat reducethecorrosiontimerelativewithback-side eaSy technologystandards，besides，itgreatly release moreresearchersmoreattentiontoit． tectlnology，ttl吣mo陀锄dpay The ofthis ist0estabIishaCMOS MEMS of purposesubject compatiblepost-processingtechnology 仃ont．sidereleaSeofbulk the ofst门∞turesontlle、vaferwhile rele签e sil．con，mainlyprotection etc