16 Mb的抗辐射SRAM (16-Mb RADIATION-HARDENED SRAM).pdfVIP

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2016-01-14 发布于四川
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SMV512K32-SP SLVSA21H – JUNE 2011– REVISED JULY 2013 16-Mb RADIATION-HARDENED SRAM Check for Samples: SMV512K32-SP 1 FEATURES • 20-ns Read, 13.8-ns Write Through Maximum • Radiation Performance (1) Access Time – Uses Both Substrate Engineering and • Functionally Compatible With Commercial Radiation Hardened by Design (HBD) (2) 512K x 32 SRAM Devices – TID Immunity 3e5 rad (Si) • Built-In EDAC (Error Detection and Correction) – SER 5e-17 Upsets/Bit-Day to Mitigate Soft Errors (Core Using EDAC and Scrub) (3) • Built-In Scrub Engine for Autonomous – Latch up immunity LET = 110 MeV Correction (T = 398K) • CMOS Compatible Input and Output Level, • Available in a 76-Lead Ceramic Quad Flatpack Three State Bidirectional Data Bus (1) Radiation tolerance is a typical value based upon initial device – 3.3 ±0.3-V I/O, 1.8 ±0.15-V CORE qualification. Radiation Data and Lot Acceptance Testing is available – contact factory for details. xxx