GaAs基共振隧穿压阻式声传感器分析.pdfVIP

GaAs基共振隧穿压阻式声传感器研究 摘 要 本论文介绍了一种新型的纳机电(NEMS)声传感器，该声传感器是基于 所谓介观压阻效应就是指RTS薄膜在力学信号作用下，其结构应力分布发生变化：一定 条件下应力变化引起内建电场的产生；内建电场将导致RTS结构中的量子能级发生变化； 量子能级变化会引起共振隧穿电流变化；在一定的偏压条件下，隧穿电流的变化可以等 效为RTS电阻的变化。利用这个原理就可以实现力一电转换，实现力学信号的提取。 本文详细论述了基于RTS介观压阻效应的悬臂式声传感器的工作原理、结构设计和 工艺加工，分别对GaAs基RTS的设计及GaAs基悬臂式声传感器的结构设计进行了深入 讨论。同时，利用声学分析理论和Ansys有限元软件对GaAs基悬臂式声传感器的基础结 构进行了分析计算及仿真。最终确定了GaAs／AlAs门hGaAsRTS的结构尺寸及基于RTS的 GaAs基悬臂式声传感器结构。 根据所设计的结构，采用分子束外延生长技(MBE)、微电子加工工艺和NEMS加工 工艺相结合的方法，确立了基于RTS的GaAs基悬臂式声传感器结构的工艺流程，并运用 双空气桥工艺降低RTS的隧穿电流及寄生电容，采用控制孔工艺力flIGaAs基声传感器的 悬臂粱结构。最终实现了RTS与MdNEMS结构的工艺集成。 初步完成了GaAs基悬臂式声传感器的封装和测试，测试结果表明：悬臂梁结构声传 灵敏度：1．0uV／Pa(9KHz)，频响为O．75Ⅺ乜一20KHz。 主要研究成果如下： (1)利用RTS的介观压阻效应，设计了新型的声传感器； (2)利用双空气桥工艺制作RTS，降低了隧穿电流及寄生电容； (3)加工出了基于RTS的GaAs基悬臂式声传感器的基础结构，并进行了封装测试， 测试结果表明声传感器性能良好。 关键词：GaAs，声传感器，RTS，空气桥工艺，控制孔工艺 ofGaAs-BasedResonant Study Tunneling Piezo．resistiveAcousticSensor Wang Chenyang Jian，ZhangWendong，Xue Abstract Thisthesis anovelnanoelectronicalmechanical reports acousticsensoLThecantilever onthe acousticsensorisbused effectof pizeo·resistive GaAs／AIAs／InGaAsResonant TunnelingStructure(RTS)． The onthecantileverinducesstressinthe ofthe will appliedpressure layers RTS，which induce intheelectrons and fieldsinsidethe change effectivemassthe piezoelectric generated wellandthebarrier also will materials．Thenthe stateswill vari