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2014年5月 刘作龙 等：多级并行架构的NANDFlash存储盘设计 ·l17·
的数据块为例，逻辑阵列并行度为2、面级并行度为2 4 结束语
时，三级并行系统的写入吞吐率提升为串行访问方式
针对 NANDFlash存储系统提出了基于簇映射的
的3．14倍，读取吞吐率提升为2．48倍。逻辑阵列并
多级并行结构，利用读写介质和数据传输的交错，通过
行度为2、面级并行度为 1时，两级并行系统的读取吞
控制器级、逻辑阵列级和面级的并行操作 ，对Flash进
吐率提升为串行访 问方式的2．21倍，与前者相差不
行了多级的并行控制，由此提升了存储系统的吞吐率。
大，但省去一级并行，系统复杂度上大大简化。
并且基于 FPGA实现了该结构的原型并加 以性能验
证，实验结果显示系统读写性能分别为串行访问方式
180
的3．14倍和2．21倍。
16O
140 参考文献：
12O
∞ [1] AgrawalN，PrabhakaranV ，WobberT，eta1．DesignTradeoffs
芝 100
善80 forSSDPerformance[C]．SanDiego：Proceedingsofthe
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20
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O chitecture[J]．IEEETransactionsonComputers，2010，59：
l 2 4 8
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