SipAl复合料的微观组织与导热导电性能研究.pdfVIP

摘要 摘要 本文以电子封装为应用背景，采用挤压铸造法制备了体积分数为55～65 ％的Sip／Al复合材料。利用金相显微镜、扫描电镜、透射电镜、激光导热 综合测试仪和涡流电导仪等多种分析测试手段研究了高体积分数Sip／Al复 合材料的微观组织，探讨了材料中增强体会量、颗粒大小、基体合金类型以 及热处理状态对导热和导电性能的影响，并尝试丌发了电子封装组件。 微观组织观察表明，Sip／A1复合材料的组织致密，增强体颗粒均匀分布 于基体合金之中。基体中含有大量的位错，增强体Si颗粒内部存在着位 错、层错和孪晶，si—Al界面平直干净，无界丽反应物。 Sip／Al复合材料的导热性能良好，常温F其热扩散率在60mm2／s以上， 热导率在126W／(m℃1以上，可以满足电子封装材料高导热性能的使用要 求。温度升高导致Sip／At复合材料的比热增大，但因降低了电子和声子热 运动的自由程，使复合材料的热扩散率和热导率降低；增加低比热相si颗 粒的含量，复合材料的比热下降，同时由于颗粒含量升高、Si—Al界面增 加，复合材料的导热能力下降；退火处理在一定程度上可升高复合材料的比 热和热导率。Maxwell模型和PG Klemens模型因忽略界面热阻对Sip／Al 复合材料热导的影响，导致计算值与实验测量值偏差较大，采用有效介质近 间。 MS／m之 Sip／Al复合材料的电导率远低于铝合金基体，基本在3．5～4．5 间。基体合金类型相同时，因界面增多加剧对电子定向运动的散射，导致复 合材料的电导率随着增强体Si颗粒含量增加而降低：对复合材料进行热处 理会消除基体中的位错缺陷，使材料的电导率升高。 对多种Sip／Al复合材料的力学性能、热物理性能和导电性能进行综合 比较分析之后，选用体积分数为65％的退火态Sip／LDll复合材料成功制备 了电子封装组件。 关键词电子封装；sip／a]复合材料：热导率；电导率 Abstract with 55-65％volumefraction were Sip／A1composites reinforcements fabricated for methodtheelectronic bysqueeze-casting packagingapplications． Themicrostructureof volume fraction wasstudied high Sip／A1composites by andTEM．TheeffeCtsof factionand opticalmicroscope，SEM reinforcement andheattreatmentonthethermalconductionandelectric sizes，matrix alloys conduction were laser-flashand electric dynamic propertiesinvestigatedby eddy electronic