准一维纳米氧化的气相合成和结构表征.pdfVIP

准一维纳米氧化物的气相合成和结构表征 摘 要 纳米技术领域最近有很大的发展，各种准一维纳米材料如纳米线、纳米针、 纳米带和纳米管等相继被合成和分析。这些优异的材料具有高比表面的独特结 构，因此它们展现了一些新奇的物理特性。它们在各种纳米级的电子学、光电 子学、磁电子学和传感器件中有着潜在的应用。本文采用热蒸发的方法制备出 纳米梳、In掺杂GazO，纳米线等准一维纳米材料，并利用场发射扫描电镜 的纳米材料的形貌、成分、结构以及物性进行了研究。根据测试结果我们探讨 了不同形貌纳米结构的形成原因和生长机制，并对其发光性质做了迸一步的分 析。以下是本文的主要研究结果： 1．具有周期孪晶结构的A1203／Si02同轴纳米线异质结的合成及表征 我们成功合成了大量具有周期孪晶结构的A1203／Si02同轴纳米线异质结。这种 A1203／Si02同轴纳米线异质结的生长过程是基于气一固生长机制。我们用扫描 光谱(PL)等测试手段对制得产物的形貌、微观结构和光学性能进行了研究。 研究表明这种具有两层结构的纳米线线径均匀，直径范围大约在lOO一150nm之 间。其中芯部为直径约为50nm的具有孪晶结构的A1203纳米线，外层为非晶 si02外壳。在室温测得的PL谱经过拟合可以得到三个发光峰，分别是364nm、 398nm和442nm。 究 射线衍射仪(EDS)和光致发光光谱(PL)等测试手段对制得产物的形貌、微 观结构和光学性能进行了研究。对于纳米梳，梳柄一边的梳齿比另一边的梳齿要 长，但是两边的梳齿有一样的直径范围，约为数十纳米。Zn20e04包裹的ZnO纳米棒 阵列和Ge掺杂ZnO纳米梳的生长过程是基于气一固生长机制。我们对产物室温 下的光致发光性能进行了研究。光致发光谱显示所得纳米结构有一个发光中一t5在 ‘ 382nm的窄的紫外发光峰和一个发光中心在494nm的宽的绿色发光峰。 3．In掺杂Ga203纳米线的合成及生长机制、光学性能研究 形貌、微观结构和光学性能进行了研究。研究显示那些直径均匀的纳米线直径 大约为100nm，而那些“z”字型纳米线直径约为几百纳米。在室温光致发光谱中， 只观察到一个强而宽的发光带，中心位于457nm处，属于绿光区，是由氧空位 和镓氧空位对的复合辐射发光引起的。 关键词：热蒸发；准一维纳米材料；纳米线；纳米梳；VS生长机制；光致发 光；掺杂 and of Characterization Synthesis Vapor—phase Nano-oxide Quasi-one—dimensional Abstract Recentadvancesinthefieldof haveledtothe and nanotechnology synthesis characterizationofanassortmentof as andnanotubes．Thesematerialsexhibitnovel nanowires，nanoneedles，nanobelts fascinating totheir arethe physical geometry谢thtlighspecificsurface．They propertiesowing unique