batiol;,3gt;基ptcr细晶陶瓷的制备及性能研究.pdfVIP

摘 要 为了满足电子设备小型化、片式化、低损耗的要求，PTCR 热敏电阻必须向着多 层化、片式化的方向发展。要制备高性能的多层片式 PTCR 元件，关键要解决两个问 题：第一，制备细晶陶瓷，以保证多层片式 PTCR 元件在尺寸不断减小的同时，仍具 有较强的 PTC 效应和较高的耐受电压。第二，降低陶瓷的烧结温度，改进电极浆料的 配方，以解决内电极的氧化问题。本文以制备高性能多层片式 PTCR 元件为主线，主 要研究了细晶陶瓷粉体的制备技术以及片式 PTCR 陶瓷的成型技术。 本文系统研究了在固相法制备 BaTiO3 陶瓷粉体工艺中施主元素含量、受主元素 含量、粉体的预烧温度、陶瓷的烧成温度与晶粒尺寸的关系，发现以固相法制备的 BaTiO3 粉体为原料制备的 PTCR 陶瓷在 1280 ℃左右可半导化，平均晶粒尺寸小于2 μm 。为了降低陶瓷的烧成温度，采用溶胶-凝胶法制备了粒径为 37 nm 的 BaTiO3 粉 体。以纳米 BaTiO3 粉体为原料制备的 PTCR 陶瓷在 1240 ℃下就能半导化，平均晶粒 尺寸小于 2 μm 。溶胶-凝胶法制备的 BaTiO3 粉体比固相法制备的 BaTiO3 粉体更适合 用于多层片式 PTCR 元件的制备。流延成型已经成为制备多层片式元件的支柱技术。 以纳米BaTiO3 粉体为原料，采用有机流延制备了厚度为 150 μm 的生坯。生坯在 1250 ℃烧结后，平均晶粒尺寸小于 1 μm 。在 1260 ℃烧成的样品平均室温电阻率约为 327 4 Ω·cm，升阻比为 1.059×10 。为了满足生产绿色化的要求，本文系统研究了水基流 延工艺中各种添加剂对浆料和膜片性能的影响。以纳米 BaTiO3 粉体为原料，水基流 延成型的生坯在 1250 ℃烧成后平均晶粒尺寸小于2 μm 。在 1260 ℃烧成的样品平均 4 室温电阻率约为 385 Ω·cm，升阻比为4.304 ×10 。 关键词：PTCR; 细晶; 固相法; 溶胶-凝胶法; 有机流延; 水基流延 I ABSTRACT PTCR thermistor must develop towards multilayer, chip type, low room temperature resistance to meet miniaturization, chip type, low loss of electronic device. To prepare high-performance multilayer PTCR, there are two key points: first, preparing fine-grained ceramic to ensure strong PTC effect and high resisting electrical strength with the decrease of size; second, lowering sintering temperature and improving the formulation of electrode paste to prevent oxidation of inner electrode. This paper mainly studied on preparing of fine-grained ceramic powders and forming of chip PTCR ceramics. The influence of content of donor element, content of acceptor element, presintering temperature and sintering temper