CaCOltgt;、Felt;,2gt;Olt;,3gt;和CuO掺杂对ZnO压敏陶瓷电性能和微结构的影响.pdfVIP

Cat03，Fe吃03和CuO掺蠢时ZnO压敏陶瓷电佳能和饿鳍构的影响 微结构的影响 摘要 子湮没辐射的Doppler展宽谱；通过分析实验数据，研究并讨论掺入CaC03、 系压敏陶瓷电性能和微结构的影响的微观作用机理，实验结果如下： ZnO压敏陶瓷的压敏电压 ．(1)随着掺杂CaC03摩尔含量的增加， 圪蒯升高、漏电流减小、非线性系数增大；ZnO压敏陶瓷的Doppler展宽 的商谱峰值减小。 Ca离子主要在晶界 这可以解释为：在ZnO压敏陶瓷掺杂CaC03时， 析出，固溶在ZnO晶粒边界形成固溶相颗粒，抑制晶粒增长，使ZnO晶粒 减小，从而提高压敏电压，降低漏电流，增大非线性系数；同时由于掺杂 CaC03抑制了晶粒长大，增加了单位厚度的晶界数，促使陶瓷体中的微缺 陷增多，从而使ZnO压敏陶瓷的Doppler展宽的商谱谱峰下降。 性系数先下降，后升高，最小值出现在Fe203摩尔掺杂量为1．OO％；而漏电 掺杂量为1．00％。 产生这些变化的原因是： 主要固溶至ZnO晶格，形成施主杂质，增加载流子浓度，增大漏电流，降 低压敏电压，减小非线性系数；同时由于Fe的核外高动量电子比Zn的核 外高动量电子多，Fe203固溶至ZnO晶格时，增加了高动量电子密度，引 而促使压敏电压和非线性系数增大，而漏电流和Doppler展宽商谱的谱峰 降低。 峰值升高。 成取代固溶体，减小了ZnO晶粒中的施主载流子浓度，增加了晶粒的电阻， 从而导致压敏电压升高，非线性系数减小。同时由于Cu原子的核外高动量 电子比Zn核外高动量电子多，与正电子的湮没几率要大，而掺杂CuO所 引入的阳离子取代ZnO晶粒中的Zn2+生成取代固溶体，增加了陶瓷体中的 高能高动量电子浓度，引起商谱谱峰增高。漏电流增大可能是由于Cu在晶 界中表现为施主行为引起的。 尔CuO的商谱谱峰高，而Fe的商谱谱峰比Cu的商谱谱峰低。 Ⅱ 出现这一现象的主要原因是：虽然Cu的高动量电子比Fe多，但将掺 大部分形成取代固溶体，增加高动量电子密度，对商谱谱峰升高有贡献； 而加入的Cu只有形成取代固溶体的那部分对商谱谱峰有贡献，另一部分 Cu在晶界固溶，增加了微缺陷，降低了商谱谱峰。 的结果和由电性能分析得到的结果相符。 关键词： 压敏陶瓷符合正电子湮没辐射Doppler展宽谱压敏电压漏 电流非线性系数微观缺陷掺杂 III 广西大掣嘱甄士掌位论文 EFFECTSOFDOPING AND CuO CaC03、Fe203 ONPROPERTIESAND MICRO—STRUCTUREOFZnO VARISTOR CERAMICS AB STRACT Inthis effectsof andCuO comemon paper,the CaC03、Fe203doping of varistorhave been propertiesZnO—Bi203一Sb203-C0203-Mn02-Cr203 thecoincidence