复合氧化物纳米合成与表征.pdfVIP

A Dissertation Submitted to Shanghai Jiao Tong University for M.S. Degree SYNTHESIS AND CHARACTERIZATION OF OXIDE COMPOSITE NANOSTRUCTURES By Ruli Zhou Supervisor: Professor Xiangyang Kong Major: Materials Physics and Chemistry School of Materials Science and Engineering Shanghai Jiao Tong University February, 2011 万方数据 万方数据 万方数据 摘 要 ZnO 、SnO 、In O 作为优异的宽禁带半导体材料，在光电领域 2 2 3 中具有广阔的应用前景，成为近来的研究热点之一。其中，ZnO/SnO2 、 ZnO/In O 等复合氧化物纳米结构的研究，受到越来越多的关注。 2 3 本文采用共热蒸发法，分别以 ZnO/ In O 、ZnO/SnO 混合粉末 2 3 2 为原料，制备出了多种形貌的复合氧化物纳米结构。通过扫描电子显 微镜（SEM）、能谱仪（EDS ）、透射电子显微镜（TEM ）、显微拉曼/ 光致发光光谱仪等手段，对合成产物的形貌、成分、晶体结构和性质 进行表征，并探讨了合成产物的生长机理。本文的主要结果如下： 1）以ZnO/ In O 混合粉末为原料，在 Al O 与 Si111基片上， 2 3 2 3 生长出了 ZnO/ In2O3 复合氧化物纳米环结构。实验结果表明，实验中 合成的纳米环分为两类，一种是纳米环的上下表面为极性面，另一种 是纳米环的内外表面为极性面。纳米环的生长机理均为气固生长机理， ZnO 与 In O 在高温下蒸发，分解成 Zn 、In 、O 等气相物。在低温下 2 3 气相物重新氧化复合，形成侧面为极性面的纳米带，纳米带再按照不 同的方向绕成纳米环。光致发光光谱表明，纳米环在373-380nm 区域 内有很强的紫外峰，而在可见光区域发光峰较弱。 2 ）以ZnO/SnO 混合粉末为原料，在 Al O 基片上，生长了形状 2 2 3 各异的 ZnO/ SnO2 复合氧化物纳米结构，如纳米梳、纳米线、纳米电 缆结构。不同纳米结构的形成与初始的 ZnO/SnO2 原料配比有关。其 中，纳米梳、纳米线是以 Sn 为催化剂按照气液固生长机制生长的， 而纳米电缆结构是按照气固生长机制生长的。通过 EDS 、拉曼、TEM 等手段的分析，发现合成出以 ZnO 为芯、Zn SnO 为鞘的纳米电缆结 2 4 构，ZnO 的生长方向为0001方