SJ_T3328.4-2015电子产品用高纯石英砂第4部分二氧化硅的测定.DOCVIP

ICS 31-330 L90 备案号： S J 中 华 人 民 共 和 国 电 子 行 业 标 准 SJ/T 3228.4—XXXX 代替 SJ 3228.4-1989 电子产品用高纯石英砂 第 4 部分 二氧化 硅的测定 High purity arenaceous quartz for used in electronics part 4 determining the content of silicon dioxide （报批稿） XXXX - XX - XX 发布 XXXX - XX - XX 实施 中 华 人 民 共 和 国 工 业 和 信 息 化 部 发 布  SJ/T XXXXX.4—XXXX 前言 本系列标准计划分下列部分： ——SJ/T 3228.1 电子产品用高纯石英砂 第1部分 技术条件； ——SJ/T 3228.2 电子产品用高纯石英砂 第2部分 分析方法通则； ——SJ/T 3228.3 电子产品用高纯石英砂 第3部分 灼烧失量的测定； ——SJ/T 3228.4 电子产品用高纯石英砂 第4部分 二氧化硅的测定： ——SJ/T 3228.5 电子产品用高纯石英砂 第5部分 铁的测定； ——SJ/T 3228.6 电子产品用高纯石英砂 第6部分 铜的测定； ——SJ/T 3228.7 电子产品用高纯石英砂 第7部分 铬的测定； ——SJ/T 3228.8 电子产品用高纯石英砂 第8部分 铝的测定； ——SJ/T 3228.10 电子产品用高纯石英砂 第10部分 铅的测定。 本部分为第4部分。 本部分按照GB/T 1.1-2009《标准化工作导则 第1部分：标准的结构和编写》给出的规则编写。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本部分标准代替SJ 3228.4-1989。 本部分与SJ 3228.4-1989相比，主要技术内容变化如下： a) 增加了仪器与设备、试验环境、精密度、报告； b) 分析步骤中增加了空白实验； c) 修改了二氧化硅含量计算公式。 本部分由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC 203）提出并归口。 本部分起草单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院、国家硅材料深加工产品质量监督检验中 心、东海县产品质量监督检验所。 本部分主要起草人：李运强、栾振祥、程尚栩、许振午、薄雷明、李建德、管琪、冯亚彬。 本部分所代替标准的历次版本发布情况为： ——SJ 3228.4-1989。 1  SJ/T XXXXX.4—XXXX 电子产品用高纯石英砂 第 4 部分 二氧化硅的测定 1 范围 本部分规定了高纯石英砂中二氧化硅含量的测定方法。 本部分适用于高纯石英砂中二氧化硅含量的测定。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 6682 分析实验室用水规格和试验方法 3 方法原理 试样用超纯水、硫酸和氢氟酸处理后加热，使二氧化硅以四氟化硅的形式挥发，挥发出的量即为二 氧化硅的含量。 4 试剂和材料 测试包括如下试剂与材料： a） 超纯水：电阻率≥18MΩ· cm，同时符合 GB/T 6682 规定的实验室用一级水要求； b） 硫酸：质量分数≥98.0%,优级纯； c） 氢氟酸：质量分数≥40.0%，优级纯； d） 硫酸溶液(1+1)：由超纯水（4.1）和硫酸（4.2）按照体积比 1:1 配制而成。 5 仪器与设备 所需仪器设备包括： a） 分析天平：精度为 0.01mg； b） 铂金坩埚； c） 电热板； d） 马弗炉：最高温度可达到 1100℃。 6 试验环境 试验环境要求如下： a） 温度：（18～25）℃； b） 相对湿度：45%～65%。 2  SJ/T XXXXX.4—XXXX 7 分析步骤 7.1 试样测定 7.1.1 取三个洁净的铂金坩埚置于 1000±10℃高温的马弗炉中，灼烧至恒重，称量，精确到 0.1mg。 7.1.2 称取 1g 灼烧失量后的试样两份，精确至 0.1mg。 7.1.3 将试样置于铂金坩埚中，加数滴水湿润试样，然后滴加硫酸溶液（1+1）5 滴，氢氟酸（7～10） ml，盖上铂金坩锅盖，在电热板上加热溶解，并蒸发至浆状（注意不要溅出）。 7.1.4 冷却铂金坩埚并用少量超纯水清洗内壁，然后继续加入 5ml 氢氟酸直到蒸干，直到白烟冒尽。 然后移入马弗炉中，在 1000±10℃下灼烧 30min，在干燥器中冷却至室温后称量（精确到 0.1mg