第一章半导体二极管精品.pptVIP

模拟电子技术基础 前 言 电子技术是一门研究电子器件及其应用的科学。 模拟电路教学内容 半导体器件基础；基本放大电路；集成运算放大电路；电路中负反馈技术；信号的运算和处理；波形产生与变换；功率电子电路和直流稳压电源等。 第一章 半导体二极管及电路分析 基本要求： 1.正确理解基本概念：半导体、载流子、PN结及二极管单向导电性的机理。 2.熟练掌握极二管的外特性（伏安特性曲线）。 3.熟练掌握二极管的模型及二极管电路的分析。 4.熟悉二极管的主要参数。 特点： 本征半导体的导电性能很差。如果没有自由电子，几乎是绝缘体。 晶体共价键中的电子在外界光照或加热等情况下，很容易得到能量而脱离共价键的束缚成为自由电子。同时在共价键中留下空穴。由于空穴具有俘获自由电子的能力。所以也是导电粒子。 本征半导体的导电性能跟温度有十分密切的关系。常温下，电子-空穴对仅为三万亿分子一。 §1.2 半导体二极管及其特性 一　结构和符号 部分国产半导体高频二极管参数表 一 二极管模型 1、理想模型：正向工作时二极管导通电压等于0。反向时，二极管开路。一般适用于大信号工作状态。例如逻辑电路中。 §1.4 特殊二极管器件 一 稳压二极管 1、 利用PN结反向击穿的特性，可以制成稳压二极管。 2、稳压管主要参数 1）稳定电压UZ：稳压管击穿后电流变化很大。而电压基本不变的电压。不同的稳压管有不同的稳定电压。 2）动态电阻rz： 3）最大稳定电流 IZM：由最大耗散功率和稳定电压决定。 4）最大耗散功率 PZM：工作时的功率PZ=IZ?UZ 3、几种稳压管的参数 二 发光二极管 1、材料和结构：发光二极管由砷化镓、磷化镓等半导体材料组成。由于电子空穴的复合产生发光能量。是一种电变成光的能量转换器件。电路中常用做指示或显示及光信息传送。 2、发光二极管的主要特性 三 光电二极管 半导体PN结共价键中的电子在光子的轰击下。很容易脱离共价键而成为自由电子。因此可以用PN结构成光敏二极管。光敏二极管的反向电流与光照度成正比。用感光灵敏度来衡量。典型值为：0.1μA/Lx PZM = IZM UZ 动态内阻愈小愈好 rz= I U 第1章 半导体二极管 5）温度系数：衡量由于温度变化而使稳定电压UZ变化的参数。 一般UZ大于6伏的为正温度系数。小于6伏为负温度系数 第1章 半导体二极管 0.25 30 ≤10 0.005 10 6.1-6.5 2CW7C 0.25 15 ≤50 0.095 5 13.5 – 17 2CW20 0.25 33 ≤15 0.06 10 6 —7.5 2CW14 耗散功率 W 最大稳定电流 mA 动态电阻 ? 温度系数 %/度 稳定电流 mA 稳定电压 V 参数 型号 由表可以看出2CW7C的性能比较好。温度系数小。其结构如下： 正向二极管 稳压管 温度补尝 第1章 半导体二极管 例1.4.1 分析简单稳压电路的工作原理，R为限流电阻。 IR = IZ + IL UO= UI – IR R 当UI 波动时(RL不变) ? ? ? 反之亦然 当 RL 变化时（ UI 不变） 反之亦然 UI UO R RL IL IR IZ 第1章 半导体二极管 单个发光 二极管 七段显示发光二极管 第1章 半导体二极管 1.5~8 0.5~1 2.2~2.4 磷化镓 565 绿 3~8 1~3 2.0~2.2 磷砷化镓 583 黄 5~10 2~4 2.0~2.2 磷砷化镓 635 鲜红 1~2 0.4~1 1.6~1.8 磷砷化镓 655 红 100~500 1.3~1.5 砷化镓 900 红外 光功率 （μW） 光强（10mA时，张角±45°）（mcd） 正向电压 （10mA时）V 基本材料 波长 （nm） 颜色 第1章 半导体二极管 U (BR) 反向击穿 反向特性 死区 U th 正向特性 呈指数形式 i D (mA) u D (V) mA V E u D i D （实验图） 二 二极管的伏安特性曲线 uD为加在二极管二端的电压,iD为流经二极管的电流。iD与uD的函数关系为图中曲线。 第1章 半导体二极管 1、 正向特性曲线： uD≥0部分，严格讲为指数形式，有一段近似为线性曲线，符合部分电路欧姆定律公式。 2、死区，门坎电压Uth 出现死区的原因是正偏电压不足以抵消内电场的电压。 硅管：Uth=0.6—0.8V 实际中取UD(on)=0.7V