单电子系统Mote Carlo模拟.pdfVIP

单电子系统的MonteCarlo模拟 e l Car 单电子系统的Mont 0模拟 摘要： ／纳术『UJ。：jF-．要研究由纳米尺度的纳米膜、纳米线、纳水rjj㈨戊的基于量 ＼ LI 刊、￡的纳水1 J’器件的电子学性能。功能元,fSJ0、J边j、tr』Jj_“?级旧0：成器m 纳米rU子器件小仅仅是微电子器件尺寸的进一步缩小，史，巨婴的足，它们1：再遵 循传统微电子学中载流子输运的基本规律，它们的工作依赖，：量子特性，而且其 』力能也将获得突舭性的提高。纳米电子学研究将从根本I：改变电予技术的面貌， 超越目月F集成电路发展中遇到的物理和工艺极限，发展全新的集成I乜路设汁和制 懈n法， 在单电子系统的研究中，实验与数值模拟是相互关联的，对单电子现象进行 数篮模拟，就是通过建立电子隧穿的物理行为模型，对也f通过隧道结的物理行 为进行抽象与模拟，这对单电子系统的开发有重大的指学意义。时，p电子系统的 深入fiJf究町化‘爻验中通过调节隧道结的材料、形状、八，J、数『J、分“i、结陶对 其进7亍功能测试，并在计算机模拟及理论分析的指导卜，考察r弘也，效应与系统 的结构参数的相互关系，从而实现单电子系统的辅助殴计和结构优化。 f研发的重要 由于单电子器件有极其重大应用前景，而单电子模拟作为啦fe I本郜仃很多研究机 取l必4i可少的叫：订，倍受各国科学界的重视，美国、欧洲、f 构从事单电子器件理论的研究和模拟软件的编制，并对制作的器rF进行了有意义 的模拟。工一 本论文在单电子理论基础上用C语言自主编制单电r系统模拟陛序，可分 刖馍拟单岛、多岛单电子系统，金属纳米粒子、半导体纳水粒了所fj=I成的单电子 系统伏安特性，并用单电子理论对结果进行分析。 Carlo法。 模拟所采川的方法为Monte Carlo (单电子系统数值模拟方法中，最基本的有两种方法，争方程法和Monte 法。王方程法从宏观的角度来模拟单电子电路可能的状念及状态问的转变，求解 Jg，从而获得系统各个电 主方程即要考虑单电子系统的状态数及状态间转变的IL Carlo法依据一定的概率模型，利jfJ汁算机模拟单电子系 学量的期望值。Monte 统实际电子输运过程，它能给出单电子系统较好的瞬念和动力学行为。考虑到 MonteCarIo法能够适应于较复杂的多岛单电子系统的数值模拟，故本课题采用 摘 要 单电子系统的MonteCarlo模拟 l＼I。t·【e carl。法a过 模拟所采用的单电子理论有两种：半经典理论和考虑量f效成f!|勺单电子理 论， 半经典理沦的前提是忽略电子隧穿过程中的热耗散，l乜F的隧穿时渊可以忽 略，1：汁，不考虑电子在库仑岛上的能级分立，这对于会磷^蛳0≠『L电F-系统或特征 尺寸大于10纳米的单电子器件～般是适合的，而当单电于器件为非会属基或特 4U!I!沦就吖：适用了， 矿J：、』小]‘10纳米时，会在岛区产生能缎分立效应，、I。／cA 这时就必须考虑量子尺寸效应。 f基于半经典理论对金属量子点的单电子效应模拟，结架娃示，单}乜予效应除 与温度有关外，还与其结构参数有关，对单电子器件而黾两隧道结参数越不对 称，则单电子效应往往越明显；对于二维量子点阵列，量jj=点分布越多，则库仑 阶梯等单电子效应越不明