半导体中载流子的统计分布..ppt

结果讨论： 去掉高级项 显然：n0》p0，这时的过渡区接近于强电离区。 少子数量虽然很少，但在半导体器件的工作 中起很重要的作用。 多数载流子（多子） n0 少数载流子（少子） p0 （3）高温本征激发区 ND 0 T n ni Note: 掺杂浓度高， 达到本征激发 的温度就高。 室温就可达到 如 如 T=600K 2. P型半导体的载流子浓度和费米能级 (1) 低温弱电离区 (2) 饱和电离区 po=NA，no=ni2/NA (3) 过渡区 T↑，EF↑ 补偿半导体 1、当ND＞NA时，导带中电子浓度 空穴浓度 费米能级 2、当NA＞ND时，导带中电子和价带空穴浓度 费米能级 定性讨论： 杂质半导体载流子浓度和费米能级由温度和杂质浓度决定。对于杂质浓度一定的半导体，随温度升高，载流子以杂质电离为主过渡到以本征激发为主。相应地费米能级从位于杂质能级附近移到禁带中线处。费米能级既反映导带类型，也反映掺杂水平。 EF EF EA 强p型 （a） EF EF Ei （b） （c） （d） （e） p型 本征 n型 强n型 EF ED ● 电子占据量子态的几率： 费米分布函数 → 简并半导体 玻尔兹曼函数 → 非简并半导体 ● 能量状态密度： 导带：gC(E) ∝ E 1/2 价带：gV(E)∝-E 1/2 小 结 ● 载流子浓度： 导带电子浓度： 价带空穴浓度： 本征载流子浓度： 浓度积： ● 本征半导体： ●非简并半导体： N型： 或（P 型） 如只含ND： 低温弱电离区（含两种载流子） 饱和电离区 如只含ND： 过渡区： 本征区： n0=p0,n0ND 测试 1、有一块N型硅，ND=1015cm-3,试计算常温下半导体的载流子浓度。 2、计算同时含有施主杂质ND=9*1015cm-3和受主杂质浓度为NA=1.1*1016cm-3的硅半导体在常温下的载流子浓度及费米能级位置 (ln5500＝8.6) 电子占据施主能级ED的几率: 空穴占据受主能级EA的几率: 对于Si、Ge中掺入Ⅴ 族杂质，四个价电子束缚 在共价键上，第五个价电子可以取任意一方向 的自旋，即二度自旋简并，故gD=2。但对于价 带， gA=4，同时，实验已证明，Ge中Ⅲ族杂质 所引起的受主能级情况的确取gA=4。在本课程 中，为了便于讨论，简度取2，即简并因子为1/2. 若施主浓度和受主浓度分别为ND、NA(杂质的量子态密度），所以施主能级上的电子浓度nD为： — 即未电离的施主浓度 所以，电离的施主浓度nD+为： 同理，没有电离的受主浓度pA为： 电离的受主浓度pA-为： 结论分析： 杂质能级和费米能级的相对位置反映了电子和 空穴占据杂质能级的情况。 ● ED－EF＞＞kT nD→0，nD+→ND，施主几乎全电离 费米能级远在杂质能级之下 Ec Ev EF ED N型杂质半导体 ● EF=ED 费米能级和杂质能级重合 施主杂质有1/3电离 ● EF－ED＞＞kT nD→ND，nD + →0，施主几乎都未电离 费米能级远在杂质能级之上 Ec Ev EF ED N型杂质半导体 所以，相对于杂质能级ED ，费米能级EF低时，施主全电离；EF高时，施主未电离. 受主相反，EF低时，受主未电离；EF高时，受主全电离。 EF →杂质的电离 →导带电子或价带空穴 内在联系 如何定量计算杂质半导体的载流子浓度？ 二、杂质半导体载流子浓度和费米能级 在杂质半导体中的带电粒子四种，即： 电子、空穴、电离的施主和电离的受主 在半导体体内应保持电中性，由此可得： no + pA- = po + nD+→（6） 假设只含一种施主杂质。在热平衡条件下，半导体是电中性的： 1、n型半导体的载流子浓度 n0=p0+nD+ （7） 关键是求费米能EF 上式解析求费米能是困难的。当温度从高到低变化时 ，对不同温度还可将此式进一步简化。 Note: 杂质电离在低温下就不可忽略，在室温时，几乎全部电离达到饱和；而本征激发在室温下，一般还比较弱，但随温度升高而迅速增大！ 1、杂质电离区，多子几乎完全是由杂质 电离提供； 2、过渡区，本征激发不可忽视，数量级上 与杂质相当； 3、本征激发区，本征激发所产生的载流子 至少比杂质电离要高一个数量级。 推导定量公式 根据温度变化，把温度分为三个区域： （1）、杂质电离区 特征：本征激发可以忽略，p0≌0, 导带电子主要由电离杂质提供。 三个温区 （a）低温弱电离区： 很少量施主杂质电离，本征激发可以忽略，即导 带中的电子全部由电离施主杂质提供。所以根据 电中性条件（9