“反胶团法”合成的CdS半导体纳米粒子的光谱性质研究.pdfVIP

维普资讯 第28卷 ，第 7期 光 谱 学 与 光 谱 分 析 Vo1．28，No．7，pp1573—1577 2008年 7月 SpectroscopyandSpectralAnalysis July，2008 “反胶 团法合成的CdS半导体纳米粒子的光谱性质研究 李恒达 ，王庆伟 ，翟宏菊 ，李文连 1．吉林师范大学化学学院，吉林 四平 136000 2．中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，吉林 长春 130033 摘 要 反相胶束是指由介于油和水界面的表面活性剂分子，稳定、且均匀分散于连续油介质 中的微液滴。 它可以作为 “微反应器”合成性能优良的CdS粒子。文章研究了反相胶束的w值(w一[水1／E表面活性剂])、 ECd2]与Es2一]的比例和Cd 和 s2一离子的起始浓度对 CzlS纳米粒子发光特性均有明显影响。回流处理可 以对CzlS纳米粒子的表面进行修饰，可以使 CzlS粒子的缺陷发光减弱并消失而显著增强激子发射，同时可 增大粒径使激子发射峰位红移，体现了明显的量子限域效应 ；所得材料的室温最大荧光量子效率高达 ll 。 关键词 CzlS纳米颗粒 ；反胶团；微反应器；光谱性质 中图分类号：TN3O4．2；0472+．3 文献标识码 ：A 文章编号：i000—0593(2008}07—1573—05 引 言 1 CdS纳米粒子的光谱性质 由于受量子限域效应等影响，半导体硫属化合物纳米材 1．1 W 对 CdS纳米微粒光谱性质的影响 料所呈现的不仅与尺寸相关的光电性质引起了人们极大的研 不同w 值(w一[水]／E表面活性剂])，所得 CdS纳米粒 究兴趣[】]，而且它们在有机光发射二极管、光 电池、传感 子吸收和发射光谱分别如图 l(a)和图 1(b)所示，峰位变化 器、光催化、非线性光谱和激光等光电器件诸多领域显示 了 见表 1。可见，随w 值增大，吸收峰发生红移，说明纳米粒 巨大的应用潜力[4 ，其中CdS半导体纳米材料更引起了人 子的尺寸逐渐增加。根据有效质量近似原理_【11_对不同w 时 们的特别重视[7_]。由于CdS纳米粒子的量子尺寸和表面效 制备的CdS纳米粒子的粒径进行估算 ，其结果与透射电镜表 应使得它的光谱性质与体相材料存在很大的区别。随着 CdS 征结果吻合 吸收光谱中吸收肩峰的存在，说明纳米粒子的 纳米粒子的尺寸减小，其吸收和发射光谱均发生蓝移 ，这种 尺寸分布较窄，这与电镜观察到的结果完全一致。发射光谱 蓝移是量子尺寸效应的直接体现。同时，由于颗粒表面积增 呈现较宽的发射带，体现了较大的表面效应，说明颗粒表面 加，颗粒表面的空位和悬空键这样的缺陷也显著增加，这样 存在大量的缺陷，从而使处于激发态的电子在回到基态的过 既可俘获电子和产生缺陷发射，又可增加无辐射跃迁途径， 程中，未与空穴复合形成激子发射，而是被表面缺陷俘获、 抑制了纳米粒子的本征激子发射，结果是大大影响了CdS纳 产生了如图所示的表面缺陷发射[】。该发射带随 w 值的增 米粒子的光谱性质。 大呈红移趋势。 Table1 EffectofW[Cdz]toES2一]ratioontheabsorptino andemissionpeaks 收稿 日期：2008-02—10。修订 日期：2008—05—20 基金项 目：国家 自然科学基金项 目资助 作者简介：李恒达，女，1964年生，吉林师范大学化学学院副教授 e-mail：lhdwd@1