热传导型半导体器件的二次元特征有限体积元方法及分析：H^1模估计.pdfVIP

维普资讯 2008，28A(3)：412—423 黝 数学物理学报 热传导型半导体器件的二次元特征有限体积元方法 及分析： 日1模估计 陈传军 袁益让 (烟台大学数学与信息科学系 烟台264005； 山东大学数学与系统科学学院 济南250100) 摘要：该文构造了热传导型半导体器件的全离散特征有限体积元格式，将特征线方法与有限体 积元方法相结合，采用 Lagrange型分片二次多项式空间和分片常数函数空间分别作为试探函 数和检验函数空间，并进行误差分析，得到了最优阶H 模误差估计结果． 关键词：半导体；特征线方法；有限体积元方法；误差估计． MR(2000)主题分类：65M；65N 中图分类号：0241．82 文献标识码：A 文章编号：1003—3998(2008)03—412—12 1 引言 热传导型半导体瞬态问题的数学模型是由四个方程组成的非线性偏微分方程组的初边 值问题所决定．其中电子位势方程是椭圆型的，电子和空穴浓度方程是对流扩散型的，温度 方程是热传导型的．电子位势是通过电场强度在电子，空穴浓度和热传导方程中出现，并和 相应的初边值条件构成封闭系统．考虑平面区域 QcR 上的二维问题，其数学模型为 [】 一 △ ：Q(p—e+Ⅳ())， (X，t)∈Q× J=(0，T]． (1．1) p = V ·[D (x)Ve～』上eV 】一R(e，P，)， (，t)∈Q× (1．2) ．n v p — = V ·[Dp(x)Vp+』上ppV ]一R(e，P，)， (，t)∈Q× (1．3) 11 p() 一△ =[(Dp(x)Vp+up()pV )一(D (x)Ve一』上()eV )】-V ，(，t)∈Q× (1．4) 其中 (1．1)式为电子位势方程， (1．2)和 (1．3)式分别为电子和空穴浓度方程， (1．4)式为热 传导型的温度方程．这里未知函数为电子位势 ，电子、空穴浓度为 e和 P，温度为 ．其 中Oz= ，g和 ￡均为正的常数，分别表示电子负荷和介 电常数． D x)(s=e，P)为扩散 系数， x)(s=e，P)为迁移率，二者之间的关系为D x)= ()，UT为热量伏特， N(x)=ⅣD()一ⅣA()为给定函数，ⅣD()和NA(X)分别是施主和受主杂质浓度，当x接 收稿 日期：2006—02—16；修订 日期：2007—09—22 E-mail：cjchen2001@163．com 基金项目：国家重点基础研究专项经费 (G1999032803)，国家自然科学基金 10271066)和教育部 博士点基金 (20030422047)资助