横向高压DMOS体内场优化和新结构.pdf

摘要 摘要 横向高压DMOS(Double．diffusedMOSFET)是功率集成电路(Power Integrated Circuit，PIC)中的核心器件。耐压特性是功率器件的关键问题，横向功率器件存 在其固有的二维耐压问题，即二维电场优化问题。国际上对提高器件的横向耐压 或优化横向电场进行了大量卓有成效的研究，但对包含纵向电场优化的纵向耐压 问题尚待更进一步的深入。 针对高压横向DMOS中的二维电场优化问题，本论文提出硅基体内场优化模 型，即二维电场优化模型，基于硅基引入新耐压构造产生附加场的调制效应，降 低体内高电场和提高体内低电场，通过求解二维和三维泊松方程，获得体内场和 表面场分布，以同时优化体内场和表面场分布，提高器件的击穿电压。在体内场 优化模型的指导下提出纵向结终端技术，通过耗尽浮空埋层中空间电荷对体内高 电场的调制作用，降低高电场峰值，延缓器件的击穿，以提高器件的纵向耐压。 本论文还将体内场优化模型应用到RESURF 中，设计了以下三类纵向新型器件： 入一浮空的部分N型埋层，利用浮空埋层的电场调制效应，优化体内场及表面场 分布。分析结果表明：当漂移区厚度仅为2¨m、长度为100Hm以及衬底浓度为 136％。在仿真分析的基础上，对FBL．LDMOS进行了流片实验，测试结果表明： 当衬底电阻率为80Q·cm和漂移区厚度为4L‘m时，新结构的击穿电压为850V，而 与之对比的相同电阻率单晶衬底上LDMOS的耐压为650V，增加幅度为31％。 结终端技术设计，在P型衬底中嵌入一系列结构参数相同的浮空埋层，由于耗尽 后浮空埋层中空间电荷产生的新电场与漏侧高电场方向相反，降低此高电场。分 析结果表明：当漂移区薄至2)xm时，新结构的耐压特性比常规结构提高111％。利 用不同长度和不同间隔多埋层对体内场和漂移区电场更好的调制作用，本论文还 度及其间隔使得体内场分布水平更高，电场分布更均匀，在提高器件可靠性的同 时，增强了器件的耐压特性。分析结果表明：新结构的击穿电压较常规结构提高 摘要 133％。 柱区中非均匀分布过剩载流子的补偿，消除横向超结DMOS器件中衬底辅助耗尽 效应。并且相邻阶梯掺杂浓度差电荷所产生的一系列新电场峰使体内场更优化。 漂移区长度情况下，本文提出的新结构的击穿电压为644．9V(阶梯数n=3)，而 常规超结LDMOS的击穿电压仅为121．7V。本论文还提出具有浮空埋层的 SJ．LDMOS。该结构将体内场优化模型应用到三维超结横向DMOS中，在衬底中 引入N型浮空埋层，利用反向新PN结承担大部分的纵向电压。一方面优化体内 场，提高了器件的纵向击穿电压；另一方面消除了横向超结DMOS中的衬底辅助 耗尽效应，发挥了超结耐高压、低导通电阻的优点。仿真结果表明：当漂移区长 进行了实验验证，制造出40p．m漂移区长度、击穿电压高达580V的具有浮空埋层 提高了77．5％。 关键词：横向DMOS，体内场优化，优值，纵向结终端技术 Ⅱ ABSTRACT ABSTRACT DMOSisoneofthe devicesofPower Highvoltage Integrated key Circuit(PIC)． Asincaseof semiconductormost featureis power devices，theimportant blocking lateral or voltagecapability．Forpowerdevice，two—dimensionalvoltage