横向高压器件电场调制效应及新器件的研究.pdf

摘要 摘要 Double-diffused 高压LDMOS(Lateral Circuit)和功率集成电路PIC(PowerCircatit)的关键 VoltageIntegrated Integrated 技术。为了与低压电路在工艺上更好地兼容，设计具有薄外延层且能满足一定耐 Insulator)集成技术由于具有隔离性能好、漏电流小、速度快、功耗低和抗辐照等 优点，被誉为二十一世纪的集成技术，并被广泛应用于高性能HVIC和PIC中。 高压器件中击穿电压与比导通电阻之间严重的矛盾关系，一直是众多学者研究的 热点。对于应用于薄外延硅层和SOI基的LDMOS，纵向耐压低是这类器件应用 LDMOS时具有的衬底辅助耗尽效应，限制了这类器件的发展。 本论文主要思想是利用电场调制及电荷屏蔽效应，通过对影响横向高压器件 特性的衬底改造，达到优化体内电场和表面电场的目的。本论文首次提出了一种 不同于传统设计中通过优化器件表面电场以提高器件耐压的结终端技术，并称之 为衬底终端技术，其核心是衬底的体电场调制效应。为了在超薄外延层上实现具 BULk 有一定击穿电压的LDMOS，首次提出了REBULF(REducedField)技术。 为了突破传统SOILDMOS结构中因受自由面电荷为零高斯定理、纵向耐压受限， 提出通过增加介质中电场的ENDIF技术。 基于电场调制效应的衬底终端技术，本论文设计并研究了以下几种新型器件。 (1)单面阶梯埋氧SOl(SBOSOI)。此结构利用了阶梯埋层的电场调制效应， 而非传统设计中通过漂移区分区或线性掺杂技术优化表面电场。分析结果表明： 通电阻降低40—50％，耐压提高3肚50％；在I层较薄、漂移区厚度小于lttm时， 此结构可使耐压提高10-50％，比导通电阻降低10一50％。 有增强电场调制效应、引入电荷层的电场屏蔽效应和形成的阶梯硅层有利于与低 压部分隔离等优点。分析结果表明：表面电场在优化条件下近似达到理想的均匀 分布；积累的空穴层屏蔽了局域埋氧层中高电场对SOI层的影响，I层中的电场 强度突破了一般结构中受自由面电荷为零高斯定理的限制关系，可高达200V／ttm。 摘要 (3)埋空隙部分SOl结构(APSOI)。此结构应用低介电系数埋层提高器件 纵向耐压和优化表面电场。分析结果表明：空隙低的介电常数使器件在纵向突破 了传统si02埋层的耐压关系，在一定击穿电压下APSOI结构所需的埋层厚度为 耐压；漂移区厚度为2um，埋层厚度为2ktm时可获得600V以上的耐压。 漂移区电荷的充分补偿，使器件击穿电压提高的同时，比导通电阻减小。形成的 P型低阻埋层也有利于缓解器件的自热效应。分析结果表明：表面电场出现新的 峰而较一般PSOI结构更趋于均匀；增加的漂移区浓度使比导通电阻降低；新结 构较一般PSOI结构在漂移区较薄(心岫)的情况下，击穿电压提高了52。58％， 比导通电阻降低45-48％。 (5)具有矿浮空层的REBULF LDMOS结构。此结构通过浮空的Ⅳ层将器 件体内的电场重新分配，漏端电场降低而源端电场提高．REBULF技术的特点是 SurfaceElectric 继国际上提出降低器件表面电场RESURF(ReduceField)技术之 后，针对提高器件纵向耐压而提出，为提高器件耐压开辟了一条新路。分析结果 表明：在优化的情况下，满足REBULF的条件为矿层的位置与衬底浓度的乘积 不大于lxl0129n1-2；在保证低的比导通电阻条件下，REBULFLDMOS的击穿电 压比一般RESURFLDMOS结构提高60％以上． (6)具有N+浮空层的SJLDMOS。此结构是将REBULF技术与sJ技术相 结合，即达到了降低体内高电场，提高纵向耐压的目的，而且也消除了衬底辅助 耗尽效应。将sJ在横向器件中的应用进一步拓展到了高压区。 (7)具有折叠硅表面的LDMOS结构。此结构通过刻蚀技术，将一般结构