最新半导体物理课后习题(保密).ppt

练习2 作业1-课后习题4 作业2-课后习题8 练习2-课后习题1 练习3-P85例题 练习4-课后习题7 练习5-课后习题8 练习-课后习题21 练习 作业-课后习题14 作业-课后习题18 练习-课后习题1 练习-P70例4-14 作业-课后习题2 作业2-课后习题17 有一块n型Si样品，寿命是1us，无光照的电阻率是10Ω?cm 。今用光照射该样品，光被半导体均匀吸收，电子-空穴的产生率是1022cm-3/s 。已知n型Si电阻率=10Ω?cm时，ND=7×1014cm?3；电子和空穴迁移率分别为1350cm2/V·S 和500cm2/V·S。试计算 ①光照下样品的电阻率 ②并求电导中少数载流子的贡献占多少比例？ 练习-课后习题3 解： 第五章 非平衡载流子 ①依题意，光照产生率gp=1022cm-3/s 假定室温时杂质全部电离，则 n=ND=7×1014cm?3 ② 少子对电导贡献 则平衡时， 所以 掺施主浓度ND=1015 cm?3 的n 型硅，由于光的照射产生了非平衡载流子Δn= Δp=1014cm?3 。试计算这种情况下准费米能级的位置，并和原来的费米能级做比较。假定Si本征浓度ni=7.8×109cm-3. 练习-课后习题7 解： 第五章 非平衡载流子 依题意 假设室温，则杂质全部电离，则 光注入非平衡载流子后 因此 所以 所以 =Ei