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§5-1 二氧化硅钝化膜 二氧化硅（SiO2）是硅工艺中基本的和重要的膜。 1、二氧化硅薄膜在器件中的作用 ( 1 ) 在一定的温度下，各种不同杂质在二氧化硅中的扩散系 数是不同的，二氧化硅对扩散系数大的杂质，如镓、铝等， 基本上没有掩蔽作用，因此，硅平面工艺一般不用镓、铝作 杂质扩散源。而硼、磷、砷、锑等杂质在二氧化硅中的扩散 系数远比硅中的小，它们在二氧化硅中的扩散速度比在硅中 的小得多，可以用二氧化硅膜作这些杂质选择扩散的掩蔽 膜，使杂质进行定域扩散。 ( 2 ) 二氧化硅膜对于器件表面有保护和钝化作用，在硅片表面生长一层二氧化硅膜，将硅片表面或PN结与外界隔离，减少了环境状态对硅片表面状态的影响，从而能 提高器件的可靠性和稳定性。 ( 3 ) 二氧化硅具有较高的介电强度，击穿电压高。是一种 良好的绝缘体，热氧化生长的二氧化硅膜电阻率约为 1015～1016 欧姆·厘米。因此，二氧化硅可作集成电路的隔 离介质、铝引线和各种元件之间的绝缘层、大规模集成电 路双层布线间的绝缘介质、电容器的介质以及MOS场效 应晶体管的绝缘栅等。 在MOS集成电路中，二氧化硅层用做MOSFET的绝缘栅介质。这时的二氧化硅层是器件的一个重要组成部分，二氧化硅层的厚度大小、质量好坏、其中含电荷的多少和种类以及硅与二氧化硅界面的性质都直接影响到MOS器件的电特性。二氧化硅层用做MOS器件的栅介质层是二氧化硅的最重要应用之一。 生长二氧化硅层的方法不止一种，但在大规模集成电路的制造中主要采用热氧化法形成二氧化硅层，其原因是以热氧化法生长的二氧化硅层质量最好。 3、热氧化法制备二氧化硅 热氧化法是指硅片与氧或水或其它含氧物质在高温下进行氧化反应而生长二氧化硅膜的方法。其方法是将硅片置于高温炉内，在氧化气氛中硅片表面与氧化物质作用生长成二氧化硅层。 常用的热氧化气氛有：水蒸气、干氧和湿氧。不同的氧化气氛和条件生长得到的二氧化硅层的质量是不同的。 ( 1 ) 水蒸气氧化 在高温下，水蒸气与硅反应： 当硅表面生长一层二氧化硅膜后，二氧化硅就阻碍了水蒸气与硅片直接接触，于是水分子扩散通过二氧化硅层的间隙，到达硅－二氧化硅界面，与硅反应生成新的二氧化硅，从而使氧化层不断增厚，而反应所产生的氢气就沿着硅——二氧化硅界面散开。 水蒸气氧化的生长速率快，不易控制，氧化层质量不高，容易产生各种缺陷，稳定性不好，对磷扩散的掩蔽能力较差。 ( 2 ) 干氧和湿氧氧化 在高温下，氧气与硅反应： 当硅表面生成一层二氧化硅膜之后，氧分子只有靠扩 散才能通过二氧化硅层而到达二氧化硅－硅的界面，继 续与硅反应，生成新的二氧化硅层。 由于氧分子在二氧化硅中的扩散系数远小于水蒸气(水 分子在二氧化硅中的扩散系数比氧分子的扩散系数大千 倍以上)，所以水汽氧化速率比干氧、湿氧氧化速率大。 干氧氧化虽然时间长，但生长的二氧化硅层结构比较致密。 湿氧氧化 湿氧氧化是将干氧通过水浴（温度为95℃) 再进入氧化炉，气流中水汽含量由水浴温度和气体流量决定。 （3）高压氧化 在高压环境下，在干氧氧化室即使低温也可以制备二氧化硅。 需要较厚的氧化层时，一般采用湿氧氧化方法，但膜的密度不如干氧氧化致密。 可以采用高压氧化方法，在25个大气压下用水汽进行氧化制备二氧化硅。 高压使低温下氧化膜的生长明显地加快。 由于可以低温下制备氧化膜，高压氧化法很有意义。 §5-2 磷硅玻璃钝化膜 实验发现，二氧化硅钝化膜极易被钠离子沾污，影响器 件电学性能，甚至使器件失效。但是，当二氧化硅中吸收 磷，形成磷硅玻璃之后，可使器件的性能稳定，因而广泛 采用磷硅玻璃作为钝化膜。 磷吸收工艺就是利用磷硅玻璃(P2O5－SiO2)薄层对钠离 子的“提取”和“阻挡”作用，把钠离子“固定”在二氧化硅表 面的磷硅破璃薄层中，从而减弱钠离子对硅表面状态的影 响，以提高器件的稳定性和可靠性。 磷硅玻璃作为钝化膜的不足之处： 1）在高温处理时，被捕获的钠离子会再度“释放”出来； 2）随着磷浓度的增高，磷硅玻璃中的五氧化二磷会产生 极化现象。当在外电场作用时，五氧化二磷成为极化 分子，使器件性能不稳定。 3）含高浓度磷的磷硅玻璃具有吸潮性，给光刻带来了不 利，所以必须把磷的浓度控制在适当范围内。可在磷 硅玻璃上覆盖一层三氧化二铝或二氧化硅，以克服磷 硅玻璃的吸潮性。 在实际生产中，往往将磷